含TSV结构晶圆在减薄中的表面损伤研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 课题来源 | 第8页 |
| 1.2 三维封装概述 | 第8-11页 |
| 1.3 晶圆减薄研究现状 | 第11-13页 |
| 1.4 晶圆减薄仿真分析方法 | 第13-17页 |
| 1.5 论文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 2 TSV结构中衬底减薄特性研究 | 第19-37页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 衬底减薄模型分析 | 第19-23页 |
| 2.3 衬底材料去除机理分析 | 第23-30页 |
| 2.4 加载条件对衬底亚表面损伤的影响 | 第30-36页 |
| 2.5 小结 | 第36-37页 |
| 3 TSV结构中衬底/绝缘层界面减薄特性研究 | 第37-47页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 衬底/绝缘层界面减薄模型 | 第38-39页 |
| 3.3 界面材料去除机理分析 | 第39-43页 |
| 3.4 减薄深度对界面损伤的影响 | 第43-44页 |
| 3.5 减薄速度对界面损伤的影响 | 第44-46页 |
| 3.6 小结 | 第46-47页 |
| 4 TSV结构中绝缘层减薄特性研究 | 第47-59页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 绝缘层减薄模型 | 第47-50页 |
| 4.3 绝缘层减薄过程分析 | 第50-55页 |
| 4.4 与单晶硅加工性能对比 | 第55-57页 |
| 4.5 小结 | 第57-59页 |
| 5 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 全文总结 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 附录 攻读硕士学位期间研究成果 | 第71-72页 |
