摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 背景与意义 | 第11-15页 |
1.1.1 He离子注入单晶Si | 第11-12页 |
1.1.2 N离子注入单晶Si | 第12-14页 |
1.1.3 单晶Si上镀Ag膜 | 第14页 |
1.1.4 γ 射线辐照单晶Si | 第14页 |
1.1.5 单晶Si上镀SiO_2薄膜 | 第14-15页 |
1.2 国内外研究历史与现状 | 第15-17页 |
1.2.1 He离子注入Si | 第15-16页 |
1.2.2 N离子注入Si | 第16页 |
1.2.3 单晶Si上镀Ag膜 | 第16页 |
1.2.4 γ 射线辐照单晶Si | 第16-17页 |
1.2.5 单晶Si上镀SiO_2薄膜 | 第17页 |
1.3 本文的主要研究内容 | 第17-18页 |
1.4 本论文的结构安排 | 第18-19页 |
第二章 实验原理及方法 | 第19-34页 |
2.1 光吸收原理 | 第19-20页 |
2.2 辐照发光原理 | 第20-21页 |
2.3 样品的制备 | 第21-28页 |
2.3.1 离子注入技术 | 第21-26页 |
2.3.2 磁控溅射技术 | 第26-27页 |
2.3.3 溶胶-凝胶制备SiO_2薄膜 | 第27-28页 |
2.4 实验仪器 | 第28-33页 |
2.5 本章小结 | 第33-34页 |
第三章 He离子注入单晶Si的表面形貌与光学性质 | 第34-49页 |
3.1 He离子注入对单晶Si光学性质的影响 | 第34-42页 |
3.1.1 远红外波段的光谱研究 | 第34-40页 |
3.1.1.1 常温下不同掺He浓度样品的吸收谱和折射谱研究 | 第34-36页 |
3.1.1.2 连续变温下不同掺He浓度样品的吸收谱和折射谱研究 | 第36-40页 |
3.1.2 紫外-可见和近红外波段的吸收特性研究 | 第40-41页 |
3.1.3 He离子注入对单晶硅发光特性的影响 | 第41-42页 |
3.2 He离子注入对单晶Si表面形貌的影响 | 第42-47页 |
3.2.1 不同浓度He掺杂样品的OM研究 | 第42-44页 |
3.2.2 不同浓度He掺杂样品的AFM研究 | 第44-45页 |
3.2.3 不同浓度He掺杂样品的TEM研究 | 第45-47页 |
3.3 本章小结 | 第47-49页 |
第四章 Ag膜的光学性质与表面形貌 | 第49-56页 |
4.1 膜厚对Ag膜样品表面形貌的影响 | 第49-54页 |
4.1.1 不同膜厚样品的SEM研究 | 第49-52页 |
4.1.2 不同膜厚样品的AFM研究 | 第52-54页 |
4.2 不同膜厚对Ag膜光学性质的影响 | 第54-55页 |
4.3 本章小结 | 第55-56页 |
第五章 N离子注入Si和SiO_2/Si的表面形貌和光学性质 | 第56-66页 |
5.1 N离子注入对单晶Si表面形貌和光学性质的影响 | 第56-62页 |
5.1.1 不同浓度N掺杂样品的AFM研究 | 第56-58页 |
5.1.2 不同浓度N掺杂样品的光学性质研究 | 第58-62页 |
5.1.2.1 紫外-可见和近红外波段的光谱研究 | 第58-59页 |
5.1.2.2 远红外波段的光谱研究 | 第59-62页 |
5.2 N离子注入对SiO_2/Si样品表面形貌和光学性质的影响 | 第62-65页 |
5.2.1 不同浓度N掺杂SiO_2/Si样品的AFM研究 | 第62-64页 |
5.2.2 紫外-可见和近红外波段的光谱研究 | 第64-65页 |
5.3 本章小结 | 第65-66页 |
第六章 γ 射线辐照单晶Si和SiO_2/Si样品的表面形貌和光学性质 | 第66-70页 |
6.1 γ 射线辐照对单晶Si表面形貌和光学性质的影响 | 第66-68页 |
6.1.1 γ 射线对单晶硅发光性能的影响 | 第66-67页 |
6.1.2 不同剂量 γ 射线辐照后Si的OM研究 | 第67-68页 |
6.2 γ 射线辐照对SiO_2/Si样品表面形貌和光学性质的影响 | 第68-69页 |
6.2.1 不同剂量 γ 射线辐射前后SiO_2/Si样品的OM研究 | 第68页 |
6.2.2 不同剂量 γ 射线辐射前后SiO_2/Si样品的椭偏仪研究 | 第68-69页 |
6.3 本章小结 | 第69-70页 |
第七章 结论与展望 | 第70-72页 |
7.1 结论 | 第70-71页 |
7.2 展望 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-80页 |
攻读硕士期间研究成果 | 第80-81页 |