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基于面积扩张与散热硅通孔的三维集成电路热量优化研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9-10页
第一章 绪论第15-22页
    1.1 研究背景第15-17页
    1.2 研究目的及意义第17-19页
    1.3 国内外研究现状第19-21页
    1.4 本文内容概述及组织结构第21-22页
第二章 三维集成电路第22-40页
    2.1 三维集成电路第22-33页
        2.1.1 3D IC的优势与挑战第22-27页
        2.1.2 3D IC的实现第27-31页
        2.1.3 3D IC的应用第31页
        2.1.4 3D IC的成本问题第31-33页
    2.2 TSV技术第33-39页
        2.2.1 TSV工艺第33-35页
        2.2.2 TSV测试第35-37页
        2.2.3 TSV分类第37-39页
    2.3 本章小结第39-40页
第三章 3D IC的布图规划及热量模拟工具第40-56页
    3.1 3D IC的布图第40-44页
    3.2 布图规划的方法第44-48页
    3.3 3D IC的热模型第48-50页
        3.3.1 紧凑型的热模型第49页
        3.3.2 基于网格的热模型第49-50页
    3.4 热量模拟工具HotSpot第50-54页
    3.5 本章小结第54-56页
第四章 基于面积扩张和散热硅通孔的热量优化第56-69页
    4.1 研究动机第56-57页
    4.2 电路模块的均衡划分第57-58页
    4.3 热斑模块的扩张第58-61页
    4.4 TTSV的插入第61-63页
    4.5 实验结果与分析第63-68页
    4.6 本章总结第68-69页
第五章 总结与展望第69-71页
    5.1 总结第69页
    5.2 展望第69-71页
参考文献第71-76页
攻读硕士期间的学术活动及成果情况第76-77页

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