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数字集成电路老化故障预测和老化监测技术研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9-10页
第一章 绪论第15-23页
    1.1 研究的背景及意义第15-17页
    1.2 研究对象第17-18页
    1.3 国内外研究现状第18-20页
    1.4 课题来源第20页
    1.5 研究内容及创新点第20-21页
    1.6 论文组织结构第21-23页
第二章 老化的基本知识及仿真工具第23-38页
    2.1 老化失效的成因第23-25页
        2.1.1 NBTI(负偏置温度不稳定性)第23-24页
        2.1.2 HCI(热载流子注入)第24-25页
        2.1.3 TDDB(经时击穿)第25页
        2.1.4 EM(电迁移)第25页
    2.2 NBTI老化模型的建立第25-32页
        2.2.1 反应扩散(R-D)模型第25-27页
        2.2.2 NBTI晶体管模型第27-29页
        2.2.3 NBTI门延迟模型第29-32页
    2.3 NBTI时序分析框架第32-34页
    2.4 片上老化监测原理第34-36页
    2.5 实验工具的介绍第36-37页
        2.5.1 Vector容器的介绍第36页
        2.5.2 Hspice仿真工具的介绍第36-37页
    2.6 本章小结第37-38页
第三章 一种高效高可靠性老化路径约减算法第38-47页
    3.1 路径最坏情况退化分析研究第38-39页
    3.2 电路路径延迟公式的改进第39页
    3.3 路径约减算法的前期研究第39-42页
        3.3.1 路径约减算法的研究意义第39-40页
        3.3.2 潜在关键路径的提出第40-42页
    3.4 基于逻辑门类型的老化路径约减算法第42-45页
        3.4.1 算法的思想第42-43页
        3.4.2 算法的步骤和实现第43-45页
    3.5 实验结果与分析第45-46页
    3.6 本章小结第46-47页
第四章 一种自锁存的环形振荡老化度量结构设计第47-55页
    4.1 经典的混合模型老化监测器技术研究第47-51页
        4.1.1 混合模型监测器的工作原理第47-48页
        4.1.2 一种典型的混合老化监测器结构第48-49页
        4.1.3 边缘检测器的设计介绍第49-50页
        4.1.4 实验结果及分析第50-51页
    4.2 基于AT-CELL单元的自锁存老化度量结构设计第51-53页
        4.2.1 自锁存设计的提出第51页
        4.2.2 自锁存的环形振荡器原理和结构第51-53页
    4.3 实验仿真与结果分析第53-54页
        4.3.1 测量老化率的实验结果第53页
        4.3.2 实验精度分析第53-54页
        4.3.3 面积开销的分析第54页
    4.4 本章小结第54-55页
第五章 结束语第55-57页
    5.1 全文总结第55-56页
    5.2 进一步工作第56-57页
参考文献第57-60页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第60-61页

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