| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究意义与发展状况 | 第8-11页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第11-14页 |
| 第二章 应变Si理论与SOI技术研究 | 第14-22页 |
| ·应变Si理论研究 | 第14-16页 |
| ·应变Si的形成及特点 | 第14页 |
| ·应变对能带结构的影响 | 第14-15页 |
| ·应变Si材料的迁移率增强机理 | 第15-16页 |
| ·SOI技术研究 | 第16-21页 |
| ·SOI CMOS器件结构 | 第16页 |
| ·SOI材料的主要制备工艺 | 第16-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 硅片直接键合工艺研究 | 第22-34页 |
| ·硅片直接键合技术的工艺原理 | 第22-27页 |
| ·硅片直接键合技术的工艺流程 | 第22-23页 |
| ·预键合硅片表面 | 第23-27页 |
| ·不同类型的硅片直接键合 | 第27-32页 |
| ·亲水性的硅片直接键合 | 第27-29页 |
| ·抑水性的硅片直接键合 | 第29-30页 |
| ·超高真空条件下的硅片直接键合 | 第30-31页 |
| ·旋转键合(twist bonding) | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 SOI技术的Smart-cut工艺技术研究 | 第34-46页 |
| ·Smart-cut技术的工艺流程 | 第35-37页 |
| ·Smart-cut技术中相关工艺研究 | 第37-39页 |
| ·离子注入工艺研究 | 第37-39页 |
| ·退火剥离工艺研究 | 第39页 |
| ·Smart-cut技术剥离机理研究 | 第39-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 机械致晶圆级单轴应变SOI技术与工艺实验研究 | 第46-74页 |
| ·机械致晶圆级单轴应变SOI的工艺原理 | 第46-47页 |
| ·机械致晶圆级单轴应变的实验流程 | 第47-51页 |
| ·机械致晶圆级单轴应变的实验内容 | 第51-70页 |
| ·弯曲实验台的设计构思 | 第51-52页 |
| ·硅片(4inch)的单片弯曲及低温退火实验及分析 | 第52-53页 |
| ·预键合硅片的准备工作及分析 | 第53-57页 |
| ·预键合硅片在弯曲状态下的键合工艺 | 第57-66页 |
| ·弯曲状态下键合的硅片的Smart-cut剥离过程及分析 | 第66-70页 |
| ·应变SOI材料表征测试结果分析 | 第70-72页 |
| ·SOI样片顶部硅层的应变表征 | 第70-71页 |
| ·SOI样片的表面粗糙度表征 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第六章 结论 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第82-83页 |
