应变硅空穴迁移率与晶向研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-11页
·引言	第7-8页
·应变硅国内外研究进展	第8-10页
·本论文主要研究工作及具体章节安排	第10-11页
第二章 应变硅基本物理特性	第11-21页
·硅及硅锗应变机理	第11-12页
·应变硅能带结构	第12-14页
·导带	第12-13页
·价带	第13-14页
·应变硅空穴状态密度有效质量	第14-15页
·空穴迁移率增强机理	第15-17页
·硅基应变材料工艺制备	第17-20页
·本章小结	第20-21页
第三章 应变硅空穴散射机制研究	第21-39页
·载流子散射概念	第21页
·半导体的主要散射机构	第21-22页
·量子力学散射理论	第22-28页
·空穴主要散射机制研究	第28-33页
·离化杂质散射理论	第28-29页
·声学声子散射理论	第29-32页
·非极性光学声子散射理论	第32-33页
·应变硅空穴散射几率仿真	第33-36页
·电离杂质散射	第33-35页
·声学声子散射	第35-36页
·非极性光学声子散射	第36页
·本章小结	第36-39页
第四章 空穴迁移率研究与仿真	第39-45页
·平均自由时间和散射几率研究	第39-40页
·平均弛豫时间研究	第40-41页
·空穴迁移率研究	第41-44页
·本章小结	第44-45页
第五章 结束语	第45-47页
致谢	第47-49页
参考文献	第49-53页
研究成果	第53-54页