| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 集成电路的国际发展背景 | 第8-9页 |
| 1.2 研究进展 | 第9-13页 |
| 1.2.1 PDK 在设计和制造中扮演的角色 | 第9-10页 |
| 1.2.2 PDK 的基本组成部分,且各部分的功能 | 第10-11页 |
| 1.2.3 传统 PDK 验证的方法和弊端 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 LVS 验证方法的研究 | 第15-21页 |
| 2.1 引言 | 第15-16页 |
| 2.2 LVS 验证方法的研究 | 第16-19页 |
| 2.2.1 传统验证流程 | 第16-17页 |
| 2.2.2 分析事情的方法 | 第17-18页 |
| 2.2.3 LVS 验证规范的制定 | 第18-19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 LVS 验证系统的开发研究 | 第21-35页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 验证系统的流程及界面介绍 | 第21-24页 |
| 3.3 验证系统的开发平台及组成要素介绍 | 第24-34页 |
| 3.3.1 验证系统的开发平台 | 第24-26页 |
| 3.3.2 验证系统的开发语言 | 第26-27页 |
| 3.3.3 验证系统的输入资料 | 第27-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 LVS 验证系统的实际应用及分析 | 第35-63页 |
| 4.1 引言 | 第35-36页 |
| 4.2 制程中 device 的介绍以及公用参数的提取 | 第36-41页 |
| 4.3 PDK 参数的提取及建模 | 第41-59页 |
| 4.3.1 MOS 晶体管测试模型开发 | 第41-49页 |
| 4.3.2 电阻测试模型开发 | 第49-53页 |
| 4.3.3 电容测试模型开发 | 第53-56页 |
| 4.3.4 二极管测试模型开发 | 第56-58页 |
| 4.3.5 三极管、齐纳二极管的测试模型开发 | 第58-59页 |
| 4.4 PDK 测试模型的网表创建 | 第59-61页 |
| 4.4.1 电阻测试网表 | 第59-60页 |
| 4.4.2 二极管测试网表 | 第60页 |
| 4.4.3 MOS 管、电容、BJT 管测试网表 | 第60-61页 |
| 4.5 批处理验证 | 第61-62页 |
| 4.5.1 数据的导出 | 第61页 |
| 4.5.2 验证结果 | 第61-62页 |
| 4.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 LVS 验证系统的拓展开发 | 第63-70页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 拓展模块的电路介绍 | 第63-64页 |
| 5.3 拓展模块的测试模型开发 | 第64-69页 |
| 5.3.1 标准单元（STD cell）的开发 | 第64-66页 |
| 5.3.2 Bandgap 的开发 | 第66-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |