| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 刻蚀工艺技术 | 第8-9页 |
| 1.2 刻蚀工艺模型 | 第9-10页 |
| 1.3 刻蚀工艺模拟结果评价 | 第10-11页 |
| 1.4 本文研究内容及意义 | 第11-12页 |
| 1.5 本文主要工作及安排 | 第12页 |
| 1.6 本章小结 | 第12-14页 |
| 第二章 反应离子刻蚀工艺模拟方法 | 第14-24页 |
| 2.1 MEMS工艺中常用的刻蚀技术 | 第14-17页 |
| 2.1.1 反应离子刻蚀 | 第14-15页 |
| 2.1.2 ICP刻蚀 | 第15-16页 |
| 2.1.3 离子溅射刻蚀 | 第16页 |
| 2.1.4 高密度等离子(HDP)刻蚀 | 第16-17页 |
| 2.2 反应离子刻蚀工艺模拟流程 | 第17页 |
| 2.3 反应离子刻蚀工艺模拟的常用物理模型 | 第17-20页 |
| 2.3.1 Yamamo模型 | 第17-18页 |
| 2.3.2 Knizikevicius模型 | 第18-19页 |
| 2.3.3 David.Gray模型 | 第19-20页 |
| 2.4 反应离子刻蚀工艺模拟的常用轮廓演变算法 | 第20-23页 |
| 2.4.1 常用模拟算法简介 | 第20页 |
| 2.4.2 线算法 | 第20-21页 |
| 2.4.3 元胞算法 | 第21-22页 |
| 2.4.4 水平集算法 | 第22-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 基于Montecarlo模拟方法的反应离子刻蚀物理模型 | 第24-42页 |
| 3.1 反应离子刻蚀机理 | 第24-25页 |
| 3.2 反应离子刻蚀物理模型及分析 | 第25-32页 |
| 3.2.1 模型简介 | 第25页 |
| 3.2.2 射频等离子体鞘层模型 | 第25-28页 |
| 3.2.3 Monte Carlo方法模拟离子运动 | 第28-30页 |
| 3.2.4 Monte Carlo方法模拟中性粒子运动 | 第30页 |
| 3.2.5 计算局部刻蚀速率 | 第30-32页 |
| 3.3 SF6和Ar刻蚀Si的模拟结果 | 第32-40页 |
| 3.3.1 射频偏压等离子体鞘层时空分布 | 第32-36页 |
| 3.3.2 离子运动的模拟 | 第36-38页 |
| 3.3.3 原子运动的模拟 | 第38-39页 |
| 3.3.4 局部刻蚀速率的计算 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 基于水平集方法的刻蚀轮廓演变模拟 | 第42-54页 |
| 4.1 二维水平集方法数值实现 | 第42-43页 |
| 4.2 反应离子刻蚀的水平集数值模型 | 第43-44页 |
| 4.3 刻蚀速率影响因素 | 第44-48页 |
| 4.3.1 射频功率对刻蚀速率的影响 | 第44页 |
| 4.3.2 气体压力对刻蚀速率的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3 刻蚀温度对刻蚀速率的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.4 离子辅助刻蚀率的分析 | 第46-48页 |
| 4.3.5 反应离子刻蚀的Lag效应和反向Lag效应 | 第48页 |
| 4.4 不同条件下反应离子刻蚀的模拟轮廓 | 第48-51页 |
| 4.4.1 刻蚀轮廓随时间的变化图 | 第48-49页 |
| 4.4.2 不同射频功率下的反应离子刻蚀模拟 | 第49-50页 |
| 4.4.3 不同气体压力下的反应离子刻蚀模拟 | 第50页 |
| 4.4.4 不同温度下的反应离子刻蚀模拟 | 第50-51页 |
| 4.4.5 改变反应气体后的模拟结果 | 第51页 |
| 4.5 与实验结果的对比分析 | 第51-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第54页 |
| 5.2 尚未解决的问题 | 第54页 |
| 5.3 展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 作者简介 | 第61页 |
| 攻读硕士期间的学术成果 | 第61页 |
