致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
Abstract | 第9页 |
第一章 绪论 | 第16-24页 |
1.1 研究背景 | 第16-18页 |
1.2 研究意义 | 第18-21页 |
1.2.1 航天军用 | 第18-20页 |
1.2.2 地表和近地空间 | 第20-21页 |
1.3 研究现状 | 第21-22页 |
1.4 本文工作 | 第22-23页 |
1.4.1 研究内容 | 第22页 |
1.4.2 创新点 | 第22-23页 |
1.5 论文的组织结构 | 第23-24页 |
第二章 软错误背景知识 | 第24-34页 |
2.1 自然辐射环境 | 第24-26页 |
2.1.1 太空辐射 | 第24页 |
2.1.2 大气辐射 | 第24-25页 |
2.1.3 核爆辐射 | 第25页 |
2.1.4 材料放射 | 第25-26页 |
2.2 辐射的影响 | 第26-27页 |
2.2.1 总电离剂量效应(Total Ionizing Dose, TID) | 第26页 |
2.2.2 单离子效应(Single Event Effect, SEE) | 第26-27页 |
2.3 软错误基础理论 | 第27-31页 |
2.3.1 瞬态软错误的形成原理 | 第27-28页 |
2.3.2 瞬态软错误的分类 | 第28-31页 |
2.3.2.1 单粒子瞬态(SET) | 第29-30页 |
2.3.2.2 单粒子翻转(SEU) | 第30-31页 |
2.3.2.3 其他 | 第31页 |
2.4 时序电路的抗辐射加固方法 | 第31-33页 |
2.4.1 辐射加固工艺(Radiation Hardened By Process, RHBP) | 第31-32页 |
2.4.2 辐射加固设计(Radiation Hardened By Design, RHBD) | 第32-33页 |
2.4.3 系统级加固 | 第33页 |
2.5 本章小结 | 第33-34页 |
第三章 现有的抗软错误锁存器结构 | 第34-45页 |
3.1 传统静态锁存器 | 第34-35页 |
3.2 节点临界电荷增强型锁存器 | 第35-37页 |
3.2.1 SEM锁存器 | 第35-36页 |
3.2.2 ST锁存器 | 第36页 |
3.2.3 Inter-DICE锁存器 | 第36-37页 |
3.3 冗余备份型抗软错误锁存器 | 第37-38页 |
3.4 基于C单元的隔离电路 | 第38-44页 |
3.4.1 SIN锁存器 | 第39-40页 |
3.4.2 FERST锁存器 | 第40-41页 |
3.4.3 ISO-ST锁存器 | 第41-42页 |
3.4.4 HiPeR锁存器 | 第42页 |
3.4.5 HLR锁存器 | 第42-44页 |
3.4.6 ISO-DICE锁存器 | 第44页 |
3.5 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 基于新型C单元的抗软错误锁存器电路设计 | 第45-52页 |
4.1 新提出的C单元 | 第45-47页 |
4.1.1 功耗的降低 | 第46-47页 |
4.1.2 提升C单元的自身可靠性 | 第47页 |
4.2 基于新型C单元的抗软错误锁存器设计 | 第47-50页 |
4.2.1 电路的结构 | 第47-48页 |
4.2.2 电路的容错原理 | 第48-50页 |
4.3 本章小结 | 第50-52页 |
第五章 软错误的建模和实验仿真 | 第52-64页 |
5.1 软错误建模和仿真方法 | 第52-55页 |
5.1.1 双自然函数电流源模型 | 第52-53页 |
5.1.2 软错误率的计算 | 第53-54页 |
5.1.3 仿真方法 | 第54-55页 |
5.2 本课题实验结果 | 第55-63页 |
5.2.1 本文提出的锁存器的抗软错误功能验证 | 第55-58页 |
5.2.1.1 内部节点d1 (d2) | 第56页 |
5.2.1.2 内部节点Qb1(Qb2) | 第56-58页 |
5.2.1.3 输出节点Q | 第58页 |
5.2.1.4 C单元的次要内部节点n1~n6 | 第58页 |
5.2.2 锁存器抗软错误能力对比 | 第58-61页 |
5.2.3 锁存器的性能对比 | 第61-63页 |
5.3 本章小结 | 第63-64页 |
第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
6.1 本文工作总结 | 第64页 |
6.2 未来工作展望 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-71页 |
攻读硕士期间的学术活动及成果 | 第71页 |