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集成电路容软错误加固锁存器方案研究与设计

致谢第7-8页
摘要第8-9页
Abstract第9页
第一章 绪论第16-24页
    1.1 研究背景第16-18页
    1.2 研究意义第18-21页
        1.2.1 航天军用第18-20页
        1.2.2 地表和近地空间第20-21页
    1.3 研究现状第21-22页
    1.4 本文工作第22-23页
        1.4.1 研究内容第22页
        1.4.2 创新点第22-23页
    1.5 论文的组织结构第23-24页
第二章 软错误背景知识第24-34页
    2.1 自然辐射环境第24-26页
        2.1.1 太空辐射第24页
        2.1.2 大气辐射第24-25页
        2.1.3 核爆辐射第25页
        2.1.4 材料放射第25-26页
    2.2 辐射的影响第26-27页
        2.2.1 总电离剂量效应(Total Ionizing Dose, TID)第26页
        2.2.2 单离子效应(Single Event Effect, SEE)第26-27页
    2.3 软错误基础理论第27-31页
        2.3.1 瞬态软错误的形成原理第27-28页
        2.3.2 瞬态软错误的分类第28-31页
            2.3.2.1 单粒子瞬态(SET)第29-30页
            2.3.2.2 单粒子翻转(SEU)第30-31页
            2.3.2.3 其他第31页
    2.4 时序电路的抗辐射加固方法第31-33页
        2.4.1 辐射加固工艺(Radiation Hardened By Process, RHBP)第31-32页
        2.4.2 辐射加固设计(Radiation Hardened By Design, RHBD)第32-33页
        2.4.3 系统级加固第33页
    2.5 本章小结第33-34页
第三章 现有的抗软错误锁存器结构第34-45页
    3.1 传统静态锁存器第34-35页
    3.2 节点临界电荷增强型锁存器第35-37页
        3.2.1 SEM锁存器第35-36页
        3.2.2 ST锁存器第36页
        3.2.3 Inter-DICE锁存器第36-37页
    3.3 冗余备份型抗软错误锁存器第37-38页
    3.4 基于C单元的隔离电路第38-44页
        3.4.1 SIN锁存器第39-40页
        3.4.2 FERST锁存器第40-41页
        3.4.3 ISO-ST锁存器第41-42页
        3.4.4 HiPeR锁存器第42页
        3.4.5 HLR锁存器第42-44页
        3.4.6 ISO-DICE锁存器第44页
    3.5 本章小结第44-45页
第四章 基于新型C单元的抗软错误锁存器电路设计第45-52页
    4.1 新提出的C单元第45-47页
        4.1.1 功耗的降低第46-47页
        4.1.2 提升C单元的自身可靠性第47页
    4.2 基于新型C单元的抗软错误锁存器设计第47-50页
        4.2.1 电路的结构第47-48页
        4.2.2 电路的容错原理第48-50页
    4.3 本章小结第50-52页
第五章 软错误的建模和实验仿真第52-64页
    5.1 软错误建模和仿真方法第52-55页
        5.1.1 双自然函数电流源模型第52-53页
        5.1.2 软错误率的计算第53-54页
        5.1.3 仿真方法第54-55页
    5.2 本课题实验结果第55-63页
        5.2.1 本文提出的锁存器的抗软错误功能验证第55-58页
            5.2.1.1 内部节点d1 (d2)第56页
            5.2.1.2 内部节点Qb1(Qb2)第56-58页
            5.2.1.3 输出节点Q第58页
            5.2.1.4 C单元的次要内部节点n1~n6第58页
        5.2.2 锁存器抗软错误能力对比第58-61页
        5.2.3 锁存器的性能对比第61-63页
    5.3 本章小结第63-64页
第六章 总结与展望第64-66页
    6.1 本文工作总结第64页
    6.2 未来工作展望第64-66页
参考文献第66-71页
攻读硕士期间的学术活动及成果第71页

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