| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-24页 |
| 1.1 集成电路发展简史 | 第7-9页 |
| 1.2 铜互连工艺技术 | 第9-11页 |
| 1.3 CVD工艺简介 | 第11-14页 |
| 1.3.1 CVD反应原理 | 第11-12页 |
| 1.3.2 反应速率 | 第12-13页 |
| 1.3.3 阶梯覆盖率 | 第13-14页 |
| 1.4氮化钛淀积工艺 | 第14-17页 |
| 1.4.1 氮化钛薄膜的特性 | 第14页 |
| 1.4.2 氮化钛制备工艺的分类 | 第14-17页 |
| 1.5 WCVD接触孔工艺介绍 | 第17-19页 |
| 1.6 原子层淀积工艺 | 第19-24页 |
| 1.6.1 原子层淀积工艺的发展历史 | 第19-20页 |
| 1.6.2 原子层淀积工艺的基本原理和特点 | 第20-23页 |
| 1.6.3 原子层淀积工艺的应用 | 第23-24页 |
| 第二章 WCVD接触孔工艺的缺陷分析与改善方案 | 第24-30页 |
| 2.1 WCVD接触孔的不完全填充的特征 | 第24-26页 |
| 2.2 WCVD接触孔的不完全填充的原因分类 | 第26-30页 |
| 2.2.1 衬底氮化钛对钨填充的影响 | 第26-27页 |
| 2.2.2 传统的WCVD工艺影响钨填充的因素 | 第27-28页 |
| 2.2.3 脉冲成核层WCVD工艺影响钨填充的因素 | 第28-30页 |
| 第三章 氮化钛对钨填充能力影响的分析研究 | 第30-36页 |
| 3.1 氮化钛对钨填充能力影响实验 | 第30-36页 |
| 3.1.1 实验方案 | 第30页 |
| 3.1.2 实验结果和讨论 | 第30-36页 |
| 3.2 实验结果总结 | 第36页 |
| 第四章 传统的WCVD工艺影响钨填充能力的因素 | 第36-42页 |
| 4.1 传统的WCVD钨填充能力影响实验 | 第36-41页 |
| 4.1.1 实验方案 | 第36-37页 |
| 4.1.2 实验结果和讨论 | 第37-41页 |
| 4.2 实验结果总结 | 第41-42页 |
| 第五章 PNL WCVD工艺和其影响钨填充的因素 | 第42-48页 |
| 5.1 PNL工艺的薄膜特点 | 第42-44页 |
| 5.2 PNL成核层工艺参数对钨填充影响的实验 | 第44-48页 |
| 5.2.1 实验方案设计 | 第44页 |
| 5.2.2 实验结果和讨论 | 第44-48页 |
| 5.3 实验结果总结 | 第48页 |
| 第六章 综合优化工艺改善接触孔钨的填充状态 | 第48-53页 |
| 6.1 综合优化接触孔钨工艺的实验 | 第48-52页 |
| 6.1.1 实验方案 | 第48-49页 |
| 6.1.2 实验结果和讨论 | 第49-52页 |
| 6.2 实验结果总结 | 第52-53页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第53-55页 |
| 7.1 论文的主要工作与结论 | 第53-54页 |
| 7.1.1 论文的主要工作 | 第53页 |
| 7.1.2 结论 | 第53-54页 |
| 7.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |