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基于有限元分析的功率器件封装热阻研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-26页
    1.1 功率器件的发展史第16-18页
    1.2 国内外发展现状第18-20页
        1.2.1 功率器件的封装第19-20页
    1.3 可靠性实验与温度引发的失效第20-24页
        1.3.1 可靠性实验第20-22页
        1.3.2 温度引发的失效第22-24页
    1.4 本章小结第24-26页
        1.4.1 本章小结第24页
        1.4.2 文章脉络第24-26页
第二章 功率MOSFET的热阻第26-40页
    2.1 功率MOSFET的主要参数第26-28页
    2.2 热阻第28-33页
        2.2.1 热阻测试的基本原理第29-30页
        2.2.2 热阻测试的基本方法第30-33页
    2.3 实验室测热阻第33-38页
        2.3.1 AnaTech Phase 11第33-34页
        2.3.2 测量结果第34-35页
        2.3.3 测量结果分析第35-38页
    2.4 本章小结第38-40页
第三章 模型仿真第40-48页
    3.1 仿真软件第40-43页
        3.1.1 AutoCAD第40页
        3.1.2 Ansys第40-41页
        3.1.3 有限元分析方法基本原理第41-43页
    3.2 模型的建立与仿真第43-47页
        3.2.1 建立模型第43-44页
        3.2.2 模型仿真第44-47页
    3.3 本章小结第47-48页
第四章 热阻与封装因素的关系第48-62页
    4.1 加热功率对仿真热阻的影响第48-49页
    4.2 管芯尺寸对于仿真热阻的影响第49-51页
    4.3 塑封体和铜框架对仿真热阻的影响第51-54页
        4.3.1 铜框架第51-52页
        4.3.2 塑封体第52-54页
    4.4 粘结层对仿真热阻的影响第54-61页
        4.4.1 焊锡料种类第54-55页
        4.4.2 焊锡料厚度第55-56页
        4.4.3 锡层空洞第56-61页
    4.5 本章小结第61-62页
第五章 全文总结与展望第62-64页
    5.1 全文总结第62-63页
    5.2 研究展望第63-64页
参考文献第64-68页
致谢第68-70页
作者简介第70页

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