| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| ·研究背景及意义 | 第12-13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-19页 |
| ·研磨抛光技术的应用与发展 | 第13-16页 |
| ·研磨抛光技术的研究与发展 | 第16-19页 |
| ·本文研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 表面接触压强对硅片抛光去除率影响的仿真分析 | 第20-34页 |
| ·硅片与抛光垫之间的相对运动 | 第20-21页 |
| ·抛光过程的接触力学模型 | 第21-24页 |
| ·有限元仿真模型 | 第24-27页 |
| ·有限元几何模型 | 第24页 |
| ·有限元边界模型 | 第24-25页 |
| ·材料本构模型 | 第25-27页 |
| ·抛光仿真结果与分析 | 第27-32页 |
| ·抛光仿真结果 | 第27-30页 |
| ·仿真结果分析 | 第30-32页 |
| ·接触压强分布不均匀系数 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 抛光实验与硅片表面轮廓的检测分析 | 第34-42页 |
| ·抛光实验设备及轮廓测量仪器 | 第34-35页 |
| ·抛光结果与表面轮廓测量结果 | 第35-39页 |
| ·第一组实验结果 | 第35-36页 |
| ·第二组实验结果 | 第36-38页 |
| ·两组实验结果对比 | 第38-39页 |
| ·实验结果与仿真结果的对比 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 研磨中单个磨粒磨削的有限元仿真分析 | 第42-62页 |
| ·研磨中单个磨粒的材料去除模型 | 第42-44页 |
| ·有限元仿真模型的建立 | 第44-49页 |
| ·有限元几何及边界模型 | 第44页 |
| ·材料模型 | 第44-46页 |
| ·摩擦模型 | 第46页 |
| ·有限元接触算法 | 第46-48页 |
| ·网格重划分 | 第48-49页 |
| ·球形磨粒仿真结果 | 第49-54页 |
| ·磨粒粒度对研磨结果影响的分析 | 第49-51页 |
| ·磨粒划入深度对研磨结果影响的分析 | 第51-54页 |
| ·非球形磨粒仿真结果 | 第54-60页 |
| ·三棱体磨粒磨削硅片的仿真结果 | 第54-58页 |
| ·四棱体磨粒磨削硅片的仿真结果 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 作者成果简介 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |