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InGaN材料局域化复合特性及LED器件发光效率的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·论文研究背景第9-12页
   ·论文研究内容与结构第12-14页
 参考文献第14-15页
第二章 LED的基本原理第15-21页
   ·引言第15页
   ·电子与空穴的复合第15-16页
   ·LED的基本原理第16-18页
   ·Ⅲ族氮化物LED的特性第18-19页
   ·本章小结第19-20页
 参考文献第20-21页
第三章 InGaN基白光LED的局域化复合特性第21-29页
   ·引言第21页
   ·LED的升温Ⅰ-Ⅴ特性和EL特性的测量与分析第21-25页
     ·材料、器件结构、测量装置介绍第21-22页
     ·白光LED的升温电致发光光谱第22-23页
     ·白光LED的升温Ⅰ-Ⅴ特性第23-25页
   ·理论分析第25-27页
     ·白光LED的电致发光第25-26页
     ·白光LED的Ⅰ-Ⅴ特性第26-27页
   ·本章小结第27-28页
 参考文献第28-29页
第四章 InGaN、AlGaInP基LED的发光效率的研究第29-42页
   ·引言第29-31页
     ·研究背景第29页
     ·研究现状第29-31页
   ·不同材料各种功率LED的发光效率测量与分析第31-37页
     ·器件介绍,实验内容第31页
     ·结果与分析第31-37页
   ·理论分析与模拟第37-39页
   ·本章小结第39-40页
 参考文献第40-42页
第五章 结论第42-44页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第44-45页
致谢第45-46页

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