| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-16页 |
| ·研究背景 | 第11-13页 |
| ·PDK的背景知识 | 第11-12页 |
| ·PDK的发展现状 | 第12-13页 |
| ·SOI工艺 | 第13-15页 |
| ·本文的研究目的与主要内容 | 第15-16页 |
| 第2章 技术文件的开发 | 第16-21页 |
| ·技术文件的开发 | 第16-20页 |
| ·图层文件段的定义 | 第16-18页 |
| ·器件文件段的定义 | 第18-19页 |
| ·连接性提取规则文件段的定义 | 第19-20页 |
| ·布局布线规则文件段的定义 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 物理验证规则文件的开发 | 第21-29页 |
| ·GTE下DRC规则的开发 | 第21-24页 |
| ·图形的绘制 | 第21-22页 |
| ·设计规则输入 | 第22页 |
| ·DRC实例开发 | 第22-24页 |
| ·GTE下LVS规则的开发 | 第24-28页 |
| ·连接性提取的定义 | 第25页 |
| ·器件识别的定义 | 第25-27页 |
| ·一致性比较的定义 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第4章 Hmos晶体管PCell的开发 | 第29-47页 |
| ·Hmos的PCell开发 | 第29-36页 |
| ·Hmos的PCell开发流程 | 第29-30页 |
| ·有源区主体结构的设计 | 第30-31页 |
| ·多晶层与识别层的设计 | 第31-32页 |
| ·metall层与cont层的设计 | 第32-33页 |
| ·源漏互换功能的实现 | 第33-34页 |
| ·注入层 | 第34页 |
| ·串并联功能的支持 | 第34-36页 |
| ·组件描述格式 | 第36-40页 |
| ·CDF的参数模块 | 第36-38页 |
| ·模拟信息模块 | 第38-39页 |
| ·解释性标签模块和其他信息 | 第39-40页 |
| ·callback回呼函数 | 第40-42页 |
| ·冋呼函数简介 | 第40页 |
| ·冋呼函数HmosCB的分析 | 第40-42页 |
| ·拉伸功能 | 第42-45页 |
| ·Hmos拉伸的实例 | 第42页 |
| ·拉伸功能的实现 | 第42-43页 |
| ·可拉伸PCell的设计 | 第43-45页 |
| ·PAS建库 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 应用PDK设计14级二进制计数器 | 第47-62页 |
| ·HC4060系列芯片简介 | 第47-48页 |
| ·应用0.35 μ m SOI工艺PDK完成HC4060芯片设计 | 第48-61页 |
| ·芯片HC4060原理图的设计 | 第48-49页 |
| ·hspice仿真 | 第49-53页 |
| ·版图布局布线 | 第53-59页 |
| ·Calibre DRC检查 | 第59-60页 |
| ·Calibre LVS验证 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第6章 结论与展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及参加科研情况 | 第67页 |