| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·原子层淀积的基本原理及应用 | 第10-17页 |
| ·原子层淀积的基本原理 | 第10-13页 |
| ·原子层淀积的条件以及工艺窗口 | 第13-15页 |
| ·原子层淀积的研究现状及展望 | 第15-17页 |
| ·氧化锌薄膜的研究与应用 | 第17-19页 |
| ·纳米氧化锌材料的研究与应用的应用 | 第19-22页 |
| ·纳米氧化锌的应用及研究现状 | 第19-20页 |
| ·半导体纳米颗粒中的多激子激发效应 | 第20-22页 |
| ·氧化钻薄膜的特性及应用 | 第22-24页 |
| 第二章 原子层淀积氧化锌薄膜及其性能表征 | 第24-40页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·实验方案 | 第25-26页 |
| ·实验结果与讨论 | 第26-38页 |
| ·不同DEZn脉冲时间对成膜厚度均匀性的影响 | 第26-27页 |
| ·不同淀积温度下ZnO薄膜的生长速率及表面形貌分析 | 第27-31页 |
| ·不同淀积温度下原子层淀积ZnO薄膜的光学特性 | 第31-34页 |
| ·不同淀积温度下ZnO薄膜的电学特性 | 第34-36页 |
| ·原子层淀积ZnO薄膜的化学成分分析 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 原子层淀积氧化锌纳米晶研究 | 第40-58页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·实验方案 | 第41-42页 |
| ·实验结果及讨论 | 第42-56页 |
| ·200℃淀积温度下生长ZnO的形态表征 | 第42-47页 |
| ·快速热退火对200℃淀积温度下所生长的ZnO的形态的影响 | 第47-51页 |
| ·300℃淀积温度下生长ZnO纳米晶的形态表址 | 第51-54页 |
| ·300℃淀积温度下生长的ZnO纳米晶的化学组分分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 原子层淀积氧化钴的工艺探索及表征 | 第58-65页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·实验方案 | 第58-59页 |
| ·实验结果及讨论 | 第59-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
