| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| ·ESD 简介 | 第8-9页 |
| ·ESD 测试方法 | 第9-13页 |
| ·ZAPMASTER 的ESD 测试方法 | 第11-12页 |
| ·TLP 技术的ESD 测试方法 | 第12-13页 |
| ·ZAPMASTER 测试与TLP 测试的关联性 | 第13页 |
| ·ESD 的TCAD 仿真简介 | 第13-15页 |
| ·工艺仿真工具Tsuprem 和器件仿真工具Medici 简介 | 第14页 |
| ·工艺器件仿真工具ISE-TCAD 简介 | 第14页 |
| ·工艺器件仿真工具Silvaco-TCAD 简介 | 第14-15页 |
| ·ESD 防护器件简介 | 第15-17页 |
| ·基于二极管的ESD 防护器件 | 第15页 |
| ·基于场氧器件的ESD 防护器件 | 第15-16页 |
| ·基于MOS 管的ESD 防护器件 | 第16-17页 |
| ·基于SCR 的ESD 防护器件 | 第17页 |
| ·我的工作及其论文组织 | 第17-19页 |
| ·我的工作 | 第17-18页 |
| ·论文核心内容 | 第18-19页 |
| 第二章 深亚微米场氧ESD 器件防护能力的研究 | 第19-30页 |
| ·基于FOD 结构的ESD 器件分析 | 第19-23页 |
| ·FOD 工作机理 | 第19-20页 |
| ·基于FOD 结构的ESD 器件设计 | 第20-22页 |
| ·新型浮多晶硅岛屿FOD 结构的ESD 器件设计 | 第22-23页 |
| ·试验数据分析 | 第23-27页 |
| ·NMSTFOD 器件的数据分析 | 第24-25页 |
| ·WCFOD 器件的数据分析 | 第25页 |
| ·SCFOD 器件的数据分析 | 第25-26页 |
| ·浮体多晶岛屿FOD 器件的数据分析 | 第26-27页 |
| ·各种FOD 的比较 | 第27页 |
| ·小结 | 第27-30页 |
| 第三章 NMOSFET ESD 防护器件在不同栅压下的研究 | 第30-42页 |
| ·试验过程 | 第30-37页 |
| ·NMOS 管的TCAD 瞬态仿真 | 第31-35页 |
| ·带栅压NMOS 管的TLP 测试方法 | 第35-37页 |
| ·栅压对NMOS 管ESD 性能的影响及其机理研究 | 第37-41页 |
| ·栅压对NMOS 管的ESD 性能影响 | 第37-38页 |
| ·有源区宽长对NMOS 管ESD 性能的影响 | 第38页 |
| ·沟道长度对NMOS 管ESD 性能的影响 | 第38-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第四章 典型可控硅ESD 防护器件结构和版图设计分析 | 第42-52页 |
| ·LSCR 的分析和设计方法研究 | 第42-45页 |
| ·MLSCR 的分析和设计方法研究 | 第45-47页 |
| ·LVTSCR 的分析和设计方法研究 | 第47-48页 |
| ·新型的SCR 器件版图设计 | 第48-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第五章 新型双向可控硅ESD 防护器件的设计与分析 | 第52-88页 |
| ·Logic CMOS工艺下双向ESD防护器件的设计 | 第54-56页 |
| ·低触发电压双向SCR ESD 防护器件的设计 | 第56-62页 |
| ·Wang A.的低触发电压方案 | 第56页 |
| ·NM_DDSCR 器件设计及分析 | 第56-58页 |
| ·PLVT_DDSCR 器件设计及分析 | 第58-62页 |
| ·MIXED_MODE RFCMOS 工艺实现的DDSCR 器件结构 | 第62-65页 |
| ·T-Well 工艺简介 | 第62-63页 |
| ·NLVT_DDSCR 器件设计及分析 | 第63-65页 |
| ·LVT_DDSCR 器件的设计评估 | 第65-68页 |
| ·LVT_DDSCR 器件的鲁棒性和有效性评估 | 第66-67页 |
| ·LVT_DDSCR 器件的直流特性 | 第67-68页 |
| ·器件的版图设计及其失效分析 | 第68-79页 |
| ·不同金属布线法对双叉指NM_DDSCR 器件的影响 | 第69-76页 |
| ·Square DDSCR 器件的设计和分析 | 第76-78页 |
| ·横向三极管效应 | 第78-79页 |
| ·DDSCR 器件在全芯片ESD 防护中的应用 | 第79-83页 |
| ·三端口DDSCR 器件在全芯片ESD 防护中的应用 | 第80-81页 |
| ·PS 模式下Square PLVT_DDSCR 器件对反相器的ESD 防护验证及分析 | 第81-83页 |
| ·器件结构优化设想与仿真 | 第83-87页 |
| ·改进型DDSCR 器件结构 | 第83-85页 |
| ·改进型PLVT_DDSCR 结构的TCAD 仿真 | 第85-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| 第六章 结论 | 第88-90页 |
| 工作总结 | 第88页 |
| 工作创新之处 | 第88-89页 |
| 展望 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的文章 | 第95页 |
