| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第10-16页 |
| 1.3 工作内容及论文组织 | 第16-17页 |
| 1.3.1 工作内容 | 第16页 |
| 1.3.2 论文的组织结构 | 第16-17页 |
| 第2章 ESD保护器件研究基础 | 第17-27页 |
| 2.1 集成电路的ESD保护 | 第17-21页 |
| 2.1.1 ESD保护器件的工作机制 | 第17页 |
| 2.1.2 ESD保护的设计窗口 | 第17-18页 |
| 2.1.3 ESD保护器件的测试 | 第18-21页 |
| 2.2 ESD保护器件的简介 | 第21-25页 |
| 2.2.1 二极管 | 第22-23页 |
| 2.2.2 双极型晶体管 | 第23页 |
| 2.2.3 金属氧-化物-半导体晶体管 | 第23-24页 |
| 2.2.4 可控硅 | 第24-25页 |
| 2.3 ESD器件的研究方法 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 基于DDSCR结构的ESD保护设计与研究 | 第27-34页 |
| 3.1 双向可控硅 | 第27-30页 |
| 3.1.1 双向可控硅的研究背景 | 第27页 |
| 3.1.2 DDSCR的结构 | 第27-28页 |
| 3.1.3 DDSCR的工作原理 | 第28-30页 |
| 3.2 基于DDSCR结构低触发器件的设计 | 第30-33页 |
| 3.2.1 IBDSCR的结构 | 第30页 |
| 3.2.2 IBDSCR的工作原理 | 第30-32页 |
| 3.2.3 IBDSCR的实际应用 | 第32-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 多指嵌套结构DDSCR的研究 | 第34-44页 |
| 4.1 传统叉指DDSCR | 第34-36页 |
| 4.1.1 传统叉指DDSCR的结构与工作原理 | 第34-35页 |
| 4.1.2 传统叉指DDSCR存在的问题 | 第35-36页 |
| 4.2 新型嵌套结构DDSCR的研究 | 第36-40页 |
| 4.2.1 新型多指嵌套DDSCR的结构与工作原理 | 第36-37页 |
| 4.2.2 新型嵌套结构DDSCR的仿真与建模 | 第37-40页 |
| 4.3 测试结果与分析 | 第40-43页 |
| 4.3.1 新型嵌套结构与单指IBDSCR的比较分析 | 第41-42页 |
| 4.3.2 新型嵌套结构与传统叉指结构的比较分析 | 第42-43页 |
| 4.3.3 新型嵌套结构导通电阻的测试结果与理论计算的比较分析 | 第43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 二极管阵列触发DDSCR的研究 | 第44-53页 |
| 5.1 正偏二极管阵列触发DDSCR | 第44-47页 |
| 5.1.1 正偏二极管阵列触发DDSCR的结构 | 第44-46页 |
| 5.1.2 正偏BDTSCR的工作原理 | 第46-47页 |
| 5.1.3 正偏二极管阵列触发DDSCR存在的问题 | 第47页 |
| 5.2 反偏二极管阵列触发DDSCR | 第47-51页 |
| 5.2.1 反偏二极管阵列触发DDSCR的结构与工作原理 | 第47-49页 |
| 5.2.2 反偏二极管阵列触发DDSCR的版图研究 | 第49-50页 |
| 5.2.3 反偏二极管阵列触发DDSCR的测试结果 | 第50-51页 |
| 5.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第6章 工作总结与展望 | 第53-55页 |
| 6.1 总结 | 第53页 |
| 6.2 创新之处 | 第53页 |
| 6.3 展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 个人简历 | 第59-60页 |
| 在校期间发表的学术论文及研究成果 | 第60页 |
