| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 忆阻器与阻变 | 第11-14页 |
| 1.3 忆阻器应用 | 第14-25页 |
| 1.4 阻变机理研究 | 第25-34页 |
| 1.5 本论文研究内容与结构安排 | 第34-36页 |
| 2 基于Pt/WO_3/Pt器件易失性双极性阻变研究 | 第36-53页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 基于WO_3薄膜结构器件制备工艺 | 第37-40页 |
| 2.3 阻变器件特性测试系统 | 第40-41页 |
| 2.4 基于Pt/W03/Pt器件易失性双极性阻变研究 | 第41-51页 |
| 2.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 3 多功能双极性阻变研究 | 第53-74页 |
| 3.1 引言 | 第53-54页 |
| 3.2 基于Pt/WO_3/Pt多功能阻变器件制备工艺 | 第54-55页 |
| 3.3 基于Pt/WO_3/Pt器件多功能阻变研究 | 第55-72页 |
| 3.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 4 基于WO_3忆阻器的失效恢复研究 | 第74-82页 |
| 4.1 引言 | 第74-75页 |
| 4.2 基于WO_3忆阻器件的失效与恢复 | 第75-79页 |
| 4.3 失效恢复机理研究 | 第79-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 5 忆阻器类神经功能模拟研究 | 第82-100页 |
| 5.1 引言 | 第82-84页 |
| 5.2 基于WO_3忆阻器件的再可塑性 | 第84-86页 |
| 5.3 基于WO_3忆阻器件的STDP | 第86-88页 |
| 5.4 再可塑性对STDP的影响 | 第88-98页 |
| 5.5 本章小结 | 第98-100页 |
| 6 一维忆阻器阻变研究 | 第100-115页 |
| 6.1 引言 | 第100-102页 |
| 6.2 维纳米结构器件制备 | 第102-104页 |
| 6.3 Pt/WO_3/Pt一维纳米器件研究 | 第104-108页 |
| 6.4 Au/MoO_3/Au一维纳米器件研究 | 第108-113页 |
| 6.5 本章小结 | 第113-115页 |
| 7 总结与展望 | 第115-118页 |
| 7.1 全文总结 | 第115-116页 |
| 7.2 研究展望 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-138页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第138-140页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的发明专利 | 第140页 |
