| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 论文的选题背景 | 第8-9页 |
| 1.1.1 本文的研究目的及意义 | 第8页 |
| 1.1.2 国内外集成电路产业概况及发展趋势 | 第8-9页 |
| 1.2 硅片制造工艺概述 | 第9-11页 |
| 1.2.1 硅 | 第9-10页 |
| 1.2.2 硅片制备工艺 | 第10-11页 |
| 1.2.3 表征硅片质量参数 | 第11页 |
| 1.3 硅片表面损伤层的研究现状 | 第11-18页 |
| 1.3.1 硅片损伤层模型 | 第11-13页 |
| 1.3.2 硅片损伤层的危害 | 第13-14页 |
| 1.3.3 硅片表面层损伤形式 | 第14-18页 |
| 1.3.4 硅片损伤层的检测方法概述 | 第18页 |
| 1.4 硅片磨削加工的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4.1 硅片磨削加工过程中材料去除模式 | 第19-20页 |
| 1.4.2 磨削参数对硅片表面层损伤的影响 | 第20页 |
| 1.4.3 磨削参数对硅片几何参数的影响 | 第20-21页 |
| 1.5 课题研究内容 | 第21-22页 |
| 2 磨削参数对硅片表面质量的影响 | 第22-35页 |
| 2.1 试验条件 | 第22-23页 |
| 2.2 表面层损伤深度及微粗糙度的检测方法 | 第23-24页 |
| 2.3 磨削参数对硅片表面质量的影响 | 第24-31页 |
| 2.3.1 砂轮粒径对硅片表面质量的影响 | 第25-26页 |
| 2.3.2 砂轮轴向进给速度对硅片表面质量的影响 | 第26-28页 |
| 2.3.3 砂轮转速对硅片表面质量的影响 | 第28-30页 |
| 2.3.4 真空吸盘转速对硅片表面质量的影响 | 第30-31页 |
| 2.4 金刚石砂轮磨削工艺选择 | 第31-34页 |
| 2.4.1 磨削工艺参数选择 | 第32页 |
| 2.4.2 氧化层错检测方法 | 第32页 |
| 2.4.3 不同粒径砂轮磨削后硅片氧化层错观察 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 磨削后硅片几何参数及面型的研究 | 第35-50页 |
| 3.1 磨削技术指标及工艺参数的选定 | 第35-36页 |
| 3.1.1 磨削后硅片技术指标的选定 | 第35页 |
| 3.1.2 磨削加工工艺参数的选定 | 第35-36页 |
| 3.2 试验条件与检测方法 | 第36页 |
| 3.3 磨削工艺参数对硅片几何参数的影响 | 第36-43页 |
| 3.3.1 砂轮轴向进给速度对几何参数的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.2 砂轮转速对几何参数的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.3 真空吸盘转速对几何参数的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.4 冷却水流量对几何参数的影响 | 第41-43页 |
| 3.4 硅片磨削面型的确定 | 第43-49页 |
| 3.4.1 不同面型磨削硅片的获得 | 第43-45页 |
| 3.4.2 磨削硅片GBIR对抛光硅片几何参数的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.3 磨削硅片面型对抛光硅片几何参数的影响 | 第46-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 4 大直径硅片磨削加工工艺集成 | 第50-55页 |
| 4.1 大直径硅片磨削加工工艺方案 | 第50-51页 |
| 4.2 各阶段磨削去除量的确定 | 第51-52页 |
| 4.3 磨削加工工艺集成试验 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |