| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 纳米加工技术的发展 | 第12-13页 |
| 1.2 纳米加工技术简介 | 第13-20页 |
| 1.2.1 减小曝光光源波长的加工技术 | 第13-15页 |
| 1.2.2 纳米复制加工技术 | 第15-16页 |
| 1.2.3 探针直接书写式纳米加工技术 | 第16-19页 |
| 1.2.4 纳米掩膜刻蚀加工技术 | 第19-20页 |
| 1.3 纳米薄膜组装技术简介 | 第20-23页 |
| 1.3.1 L-B 膜技术 | 第20-22页 |
| 1.3.2 自组装膜技术 | 第22-23页 |
| 1.4 自组装纳米薄膜特点及研究意义 | 第23-25页 |
| 1.5 本论文的研究意义、目标与工作内容 | 第25-28页 |
| 1.5.1 本文的研究意义 | 第25-26页 |
| 1.5.2 本课题的研究目标 | 第26页 |
| 1.5.3 本文主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 金纳米粒子的制备及表征 | 第28-36页 |
| 2.1 金纳米粒子制备的基本原理 | 第28页 |
| 2.2 液相法制备金纳米粒子的影响因素 | 第28-30页 |
| 2.2.1 反应时间的影响 | 第28-29页 |
| 2.2.2 反应物浓度的影响 | 第29页 |
| 2.2.3 表面活性剂的影响 | 第29页 |
| 2.2.4 浓度比例的影响 | 第29-30页 |
| 2.2.5 还原剂的影响 | 第30页 |
| 2.3 金纳米粒子溶胶的制备 | 第30-32页 |
| 2.3.1 试剂和仪器 | 第31页 |
| 2.3.2 金纳米粒子溶胶的合成 | 第31-32页 |
| 2.4 金纳米粒子的粒径测试 | 第32-33页 |
| 2.5 金纳米粒子溶胶的稳定性 | 第33-35页 |
| 2.6 本章小节 | 第35-36页 |
| 第三章 纳米粒子的自组装 | 第36-52页 |
| 3.1 金纳米粒子自组装单层膜的排布 | 第37-46页 |
| 3.1.1 金纳米粒子的自组装原理 | 第37-38页 |
| 3.1.2 实验部分 | 第38-41页 |
| 3.1.3 实验结果与讨论 | 第41-46页 |
| 3.2 二氧化硅纳米粒子的排布 | 第46-51页 |
| 3.2.1 二氧化硅纳米粒子的自组装 | 第47-48页 |
| 3.2.2 二氧化硅纳米粒子的垂直沉积法排布 | 第48-49页 |
| 3.2.3 二氧化硅纳米粒子的提拉自组装排布 | 第49-51页 |
| 3.3 结论 | 第51-52页 |
| 第四章 碳纳米管的自组装排布 | 第52-61页 |
| 4.1 碳纳米管简介 | 第52-55页 |
| 4.1.1 碳纳米管的结构 | 第52-54页 |
| 4.1.2 碳纳米管的应用 | 第54-55页 |
| 4.2 碳纳米管的排布的现状 | 第55-56页 |
| 4.3 实验步骤 | 第56页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第56-58页 |
| 4.4.1 不同单壁碳纳米管浓度组装的影响 | 第56-58页 |
| 4.4.2 单壁碳纳米管组装不同时间的影响 | 第58页 |
| 4.5 自组装与LB 拉膜法排布单壁碳纳米管的比较 | 第58-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 反应离子刻蚀纳米柱阵列的制备 | 第61-80页 |
| 5.1 反应离子刻蚀加工工艺参数 | 第61-63页 |
| 5.2 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching) | 第63-69页 |
| 5.2.1 等离子体(Plasma)简介 | 第63-64页 |
| 5.2.2 反应离子刻蚀的基本原理 | 第64-66页 |
| 5.2.3 反应离子刻蚀工艺影响因素 | 第66-69页 |
| 5.3 高深宽比的硅纳米柱阵列的制备 | 第69-79页 |
| 5.3.1 刻蚀气体的影响 | 第70-72页 |
| 5.3.2 刻蚀气体配比的影响 | 第72-74页 |
| 5.3.3 刻蚀功率的影响 | 第74-75页 |
| 5.3.4 刻蚀气体压力的影响 | 第75-77页 |
| 5.3.5 刻蚀时间的影响 | 第77-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 第六章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第91页 |