超薄芯片无损剥离的机理研究与工艺优化
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 课题概述 | 第10-14页 |
| 1.2 超薄芯片剥离关键问题 | 第14-17页 |
| 1.3 超薄芯片剥离研究综述 | 第17-22页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第22-26页 |
| 2 芯片-胶层-基底结构的力学建模与求解 | 第26-41页 |
| 2.1 引言 | 第26-28页 |
| 2.2 芯片-胶层-基底模型 | 第28-30页 |
| 2.3 微分方程的解析 | 第30-36页 |
| 2.4 剥离能量释放率计算 | 第36-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 3 超薄芯片无损剥离的工艺机理分析 | 第41-67页 |
| 3.1 引言 | 第41-43页 |
| 3.2 周期阵列化芯片受基板拉伸的剥离行为 | 第43-48页 |
| 3.3 传统芯片的单顶针剥离工艺 | 第48-57页 |
| 3.4 超薄芯片的多顶针剥离工艺 | 第57-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 4 超薄硅基芯片的强度测试与评估 | 第67-82页 |
| 4.1 引言 | 第67-68页 |
| 4.2 超薄试件的制备与三点弯曲实验 | 第68-71页 |
| 4.3 超薄试件弯曲测试的非线性特征 | 第71-77页 |
| 4.4 断裂强度的评估 | 第77-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 5 芯片-蓝膜粘结界面的剥离原理与测试 | 第82-95页 |
| 5.1 引言 | 第82-83页 |
| 5.2 粘结蓝膜的剥离原理 | 第83-86页 |
| 5.3 剥离测试平台 | 第86-89页 |
| 5.4 实验结果与讨论 | 第89-94页 |
| 5.5 本章小结 | 第94-95页 |
| 6 超薄芯片无损剥离的工艺优化与试验 | 第95-111页 |
| 6.1 引言 | 第95-96页 |
| 6.2 芯片剥离与碎裂的竞争行为 | 第96-100页 |
| 6.3 基本参数的确定 | 第100-103页 |
| 6.4 工艺优化与试验验证 | 第103-110页 |
| 6.5 本章小结 | 第110-111页 |
| 7 总结与展望 | 第111-114页 |
| 7.1 全文总结 | 第111-112页 |
| 7.2 研究展望 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 附录Ⅰ 全文补充材料 | 第115-120页 |
| 附录Ⅱ 作者攻读博士学位期间取得的成果 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-133页 |
