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反向光刻技术和版图复杂度研究

致谢第1-5页
摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
目次第7-9页
图表目录第9-11页
1 绪论第11-16页
   ·集成电路技术简介第11-14页
   ·反向光刻技术现状分析第14-15页
   ·本文主要工作第15-16页
2 光学邻近校正技术和反向光刻技术第16-34页
   ·光学邻近校正技术第16-17页
   ·反向光刻技术第17-23页
     ·反向光刻技术背景介绍第17-18页
     ·反向光刻问题和光刻模型第18-22页
     ·基于梯度法的反向光刻技术流程第22-23页
   ·反向光刻算法的惩罚项第23-30页
     ·主要惩罚项第24-25页
     ·离散化惩罚项第25-27页
     ·光强空间影像惩罚项第27-30页
     ·复杂度惩罚项第30页
   ·其他可供参考的变量第30-34页
     ·版图自定义权重区域第30-32页
     ·版图固定位置区域第32-34页
3 复杂度惩罚项和新的反向光刻算法第34-45页
   ·HAAR小波变换第34-36页
   ·局部小波惩罚项和全局小波惩罚项第36-42页
     ·局部小波惩罚项第37-38页
     ·全局小波惩罚项第38-42页
   ·新的反向光刻算法第42-45页
4 面向FLASH阵列的反向光刻算法和版图复杂度检测第45-57页
   ·面向FLASH阵列的反向光刻算法第45-48页
   ·FLASH阵列的版图复杂度检测第48-51页
     ·Flash阵列的版图设置第48-50页
     ·反向光刻算法设置第50-51页
   ·面向FLASH阵列的反向光刻算法结果第51-55页
   ·实验结果分析第55-57页
5 结束语第57-58页
   ·文章总结第57页
   ·文章展望第57-58页
6 附录A第58-60页
参考文献第60-64页
个人简历第64页

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