| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract(英文摘要) | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-11页 |
| 学位论文独创性声明 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| ·论文研究目的和意义 | 第12-14页 |
| ·硅基射频／微波电路的研究状况和进展 | 第14-23页 |
| ·硅基射频／微波有源器件的研究状况和进展 | 第15-16页 |
| ·硅基射频／微波无源器件的研究状况和进展 | 第16-22页 |
| ·硅基射频／微波片上系统 | 第22-23页 |
| ·多孔硅／氧化多孔硅在射频／微波电路的研究状况和进展 | 第23-26页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-32页 |
| 第二章 低阻P型硅基多孔硅及氧化多孔硅厚膜的基本理论及制备方法 | 第32-54页 |
| ·多孔硅的形成机制 | 第32-37页 |
| ·Beale耗尽模型 | 第32-33页 |
| ·扩散限制模型 | 第33页 |
| ·量子限制模型 | 第33-35页 |
| ·多孔硅形成的电压电流特性 | 第35-36页 |
| ·多孔硅的形成 | 第36-37页 |
| ·多孔硅的特征参数 | 第37-39页 |
| ·多孔度 | 第38页 |
| ·多孔硅的孔径和孔距 | 第38-39页 |
| ·实验装置 | 第39-40页 |
| ·设备 | 第39-40页 |
| ·腐蚀液的组成及作用 | 第40页 |
| ·基于阳极腐蚀的多孔硅形成速度研究 | 第40-47页 |
| ·多孔硅的形成速度和电抛光体硅形成台阶的速度 | 第41-43页 |
| ·抛光因子α | 第43页 |
| ·验证及讨论 | 第43-45页 |
| ·体多孔硅的实现 | 第45-47页 |
| ·氧化多孔硅厚膜的实现 | 第47-50页 |
| ·多孔硅的高温氧化 | 第48-49页 |
| ·氧化多孔硅的Raman光谱 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 第三章 厚膜多孔硅的后处理研究 | 第54-76页 |
| ·厚膜多孔硅后处理的几种方法 | 第54-58页 |
| ·用过氧化氢后处理厚膜多孔硅 | 第58-60页 |
| ·厚膜多孔硅的界面张力 | 第58-59页 |
| ·用过氧化氢后处理厚膜多孔硅机理 | 第59-60页 |
| ·实验方法 | 第60-65页 |
| ·实验方法优化 | 第60-61页 |
| ·实验结果及分析 | 第61-65页 |
| ·用过氧化氢后处理厚膜多孔硅的特性表征 | 第65-68页 |
| ·用过氧化氢后处理的多孔硅表面AFM研究 | 第65-66页 |
| ·用过氧化氢后处理厚膜多孔硅的XRD研究 | 第66-68页 |
| ·体多孔硅厚膜的后处理及其特性表征 | 第68-71页 |
| ·体多孔硅厚膜的后处理 | 第69页 |
| ·用过氧化氢后处理的体多孔硅厚膜的SEM研究 | 第69-71页 |
| ·用过氧化氢后处理体多孔硅的XRD研究 | 第71页 |
| ·结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第四章 厚膜多孔硅的物理特性和材料特性研究 | 第76-96页 |
| ·厚膜多孔硅的物理特性和材料特性概况 | 第76页 |
| ·厚膜多孔硅电阻率的测试与结果分析 | 第76-79页 |
| ·厚膜多孔硅的SEM研究与结果分析 | 第79-82页 |
| ·厚膜多孔硅的SEM研究 | 第79-80页 |
| ·体多孔硅的SEM研究 | 第80-82页 |
| ·厚膜多孔硅表面的AFM研究 | 第82-83页 |
| ·不同厚度多孔硅厚膜的XRD光谱与结果分析 | 第83-87页 |
| ·厚膜多孔硅的XRD光谱研究 | 第85-86页 |
| ·体多孔硅的XRD光谱研究 | 第86-87页 |
| ·不同厚度多孔硅厚膜的Raman光谱研究 | 第87-93页 |
| ·厚膜多孔硅的Raman光谱研究 | 第88-89页 |
| ·体多孔硅的Raman光谱研究 | 第89-91页 |
| ·体多孔硅沿径向方向的Raman光谱 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第五章 基于多孔硅及氧化多孔硅介质厚膜的射频／微波共平面波导和级联式MEMS相移器 | 第96-126页 |
| ·传输线的基本理论 | 第96-103页 |
| ·传输线的类型 | 第96-97页 |
| ·传输线的等效电路 | 第97-98页 |
| ·微波网络散射(S)矩阵 | 第98-100页 |
| ·传输线的特性阻抗和传输常数 | 第100-101页 |
| ·阻抗匹配 | 第101-102页 |
| ·传输线的损耗 | 第102-103页 |
| ·共平面波导的基本参数 | 第103-110页 |
| ·共平面波导传输线结构 | 第103-104页 |
| ·共平面波导的等效电路 | 第104-105页 |
| ·共平面波导的特征电阻和传播常数 | 第105-106页 |
| ·共平面波导(CPW)的损耗 | 第106-109页 |
| ·共平面波导的相速 | 第109-110页 |
| ·射频／微波共平面波导的制备、工艺及结构优化 | 第110-112页 |
| ·共平面波导(CPW)制备 | 第110-111页 |
| ·制备工艺流程 | 第111-112页 |
| ·CPW结构优化 | 第112页 |
| ·多孔硅／氧化多孔硅介质膜上的CPW的插入损耗测量与分析 | 第112-116页 |
| ·硅衬底的电阻率对共平面波导损耗的比较 | 第113页 |
| ·多孔硅／氧化多孔硅介质膜的厚度对共平面波导损耗的比较 | 第113-115页 |
| ·多孔硅／氧化多孔硅介质膜的介电常数 | 第115-116页 |
| ·级联式MEMS相移器 | 第116-123页 |
| ·级联式MEMS相移器的结构 | 第116-118页 |
| ·级联式MEMS相移器的基本参数 | 第118-121页 |
| ·级联式MEMS相移器的传输损耗比较研究 | 第121-123页 |
| ·结论 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-126页 |
| 第六章 论文总结 | 第126-128页 |
| ·已完成的工作 | 第126页 |
| ·存在的问题 | 第126-127页 |
| ·未来发展的方向 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第129页 |
