| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 微电子芯片封装技术 | 第12-15页 |
| 1.1.1 概述 | 第12-13页 |
| 1.1.2 微电子芯片封装的分类 | 第13页 |
| 1.1.3 历史及发展趋势 | 第13-15页 |
| 1.2 引线键合技术 | 第15-21页 |
| 1.2.1 概述 | 第15-17页 |
| 1.2.2 可靠性失效机制 | 第17-19页 |
| 1.2.3 引线键合材料 | 第19-21页 |
| 1.3 电迁移 | 第21-25页 |
| 1.3.1 电迁移概念 | 第21-22页 |
| 1.3.2 电迁移的研究现状 | 第22-25页 |
| 1.4 本文的研究内容及目的 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第26-35页 |
| 2.1 引线键合制备样品 | 第26-28页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第26页 |
| 2.1.2 试样制备 | 第26-28页 |
| 2.2 电迁移实验方法 | 第28-31页 |
| 2.2.1 电迁移测试设备 | 第28-30页 |
| 2.2.2 电迁移实验条件 | 第30-31页 |
| 2.3 样品表面观察及表征 | 第31-32页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM）表征样品形貌变化 | 第31-32页 |
| 2.3.2 能量色散 X 射线光谱仪（EDX）表征样品表面成分变化 | 第32页 |
| 2.4 样品内部观察及表征 | 第32-35页 |
| 2.4.1 机械抛光 | 第32-33页 |
| 2.4.2 聚焦离子束（FIB） | 第33-34页 |
| 2.4.3 电子背散射衍射分析技术（EBSD）表征内部成分 | 第34-35页 |
| 第三章 Ag-Au-Pd 合金键合线的电迁移性能研究 | 第35-53页 |
| 3.1 银合金线和金线抗电迁移能力的对比 | 第35-43页 |
| 3.1.1 表面形貌变化 | 第35-40页 |
| 3.1.2 金属电阻变化 | 第40-43页 |
| 3.2 电迁移寿命的影响因素 | 第43-48页 |
| 3.2.1 温度因素对电迁移寿命的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.2 电流密度因素对电迁移寿命的影响 | 第45-48页 |
| 3.3 电场方向对电迁移现象的影响 | 第48-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 Ag-Au-Pd 合金键合线的电迁移机理研究 | 第53-64页 |
| 4.1 电迁移过程中的表面扩散 | 第53-56页 |
| 4.1.1 形貌分析 | 第53-55页 |
| 4.1.2 成分分析 | 第55-56页 |
| 4.2 电迁移过程中的晶界扩散及迁移 | 第56-63页 |
| 4.2.1 机械抛光 | 第56-58页 |
| 4.2.2 电子背散射衍射分析 | 第58-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 全文总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第72-73页 |
| 附件 | 第73页 |
