| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究意义 | 第16-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-20页 |
| 1.3 本论文的内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 弹塑性力学理论与材料特性研究 | 第22-38页 |
| 2.1 弹塑性力学理论 | 第22-29页 |
| 2.1.1 弹塑性力学理论假设 | 第22-23页 |
| 2.1.2 本构关系理论 | 第23-24页 |
| 2.1.3 各向异性材料的应力应变基本方程 | 第24-26页 |
| 2.1.4 屈服准则 | 第26-29页 |
| 2.2 SOI材料基本特性分析 | 第29-33页 |
| 2.2.1 Si材料基本特性分析 | 第29-31页 |
| 2.2.2 二氧化硅的材料特性 | 第31-32页 |
| 2.2.3 Si_3N_4的材料特性 | 第32-33页 |
| 2.3 SOI材料的界面特性 | 第33-37页 |
| 2.3.1 薄膜的粘附力 | 第34页 |
| 2.3.2 Si/SiO_2界面结构特性 | 第34-35页 |
| 2.3.3 SOI材料的粘结滑移特性 | 第35-37页 |
| 2.4 小结 | 第37-38页 |
| 第三章 高应力Si_3N_4薄膜技术与制备研究 | 第38-52页 |
| 3.1 高应力Si_3N_4薄膜技术研究 | 第38-48页 |
| 3.1.1 材料应力特性 | 第38-40页 |
| 3.1.2 LPCVD技术淀积高应力Si_3N_4薄膜的工艺研究 | 第40页 |
| 3.1.3 PECVD技术制备高应力Si_3N_4薄膜的工艺研究 | 第40-48页 |
| 3.2 高应力Si_3N_4薄膜制备研究 | 第48-51页 |
| 3.2.1 制备条件 | 第48页 |
| 3.2.2 制备结果 | 第48-51页 |
| 3.3 小结 | 第51-52页 |
| 第四章 Si_3N_4致晶圆级双轴应变SOI新方法与模拟研究 | 第52-64页 |
| 4.1 硅基应变技术 | 第52-55页 |
| 4.1.1 全局应变技术 | 第52-53页 |
| 4.1.2 局部应变技术 | 第53-55页 |
| 4.2 Si_3N_4致晶圆级双轴应变SOI新方法机理 | 第55-59页 |
| 4.2.1 衬底Si/埋SiO_2层界面离子注入方法 | 第56-57页 |
| 4.2.2 顶层Si非晶化方法 | 第57-59页 |
| 4.3 Si_3N_4薄膜应力分布的有限元仿真 | 第59-62页 |
| 4.3.1 模型建立 | 第59-60页 |
| 4.3.2 荷载设定 | 第60-61页 |
| 4.3.3 仿真结果与分析 | 第61-62页 |
| 4.4 小结 | 第62-64页 |
| 第五章 晶圆级双轴应变SOI制备实验研究 | 第64-76页 |
| 5.1 高应力Si_3N_4薄膜致双轴应变SOI制备 | 第64-67页 |
| 5.1.1 实验一 | 第64-65页 |
| 5.1.2 实验二 | 第65-67页 |
| 5.2 弯曲度测试 | 第67-68页 |
| 5.2.1 测试原理 | 第67页 |
| 5.2.2 测试结果与分析 | 第67-68页 |
| 5.3 应变SOI的拉曼表征 | 第68-75页 |
| 5.3.1 拉曼原理 | 第69-70页 |
| 5.3.2 拉曼表征结果 | 第70-75页 |
| 5.4 小结 | 第75-76页 |
| 第六章 结论 | 第76-78页 |
| 6.1 结论 | 第76页 |
| 6.2 进一步的工作 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-87页 |
