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低能电子束曝光的Monte Carlo模拟研究

摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 引言第9-15页
    1.1 电子束曝光技术发展概述第9-13页
    1.2 Monte Carlo模拟计算方法概述第13-14页
    1.3 问题的提出和本文的主要工作第14-15页
第二章 电子与固体相互作用的原理第15-24页
    2.1 电子束曝光方法第15-16页
    2.2 电子在固体中的散射第16-17页
        2.2.1 弹性散射第16页
        2.2.2 非弹性散射第16-17页
    2.3 电子散射的物理模型第17-24页
        2.3.1 弹性散射的物理模型第17-20页
        2.3.2 非弹性散射的物理模型第20-24页
第三章 用Monte Carlo方法模拟低能电子在PMMA中的散射第24-39页
    3.1 物理模型的确定第25-29页
        3.1.1 弹性散射的物理模型第25-27页
        3.1.2 非弹性散射的物理模型第27-29页
    3.2 电子在介质中散射过程的Monte Carlo模拟第29-34页
        3.2.1 电子在单一元素介质中散射的模拟第29-30页
        3.2.2 电子在多元介质中散射的模拟第30-31页
        3.2.3 电子穿越不同介质交界面的情况第31-32页
        3.2.4 散射电子空间输运的坐标转换第32-34页
    3.3 电子能量损失分布的计算第34-37页
        3.3.1 沉积能体密度第35页
        3.3.2 沉积能面密度第35-36页
        3.3.3 沉积能深度分布第36-37页
        3.3.4 电子在PMMA中散射的横向作用范围第37页
    3.4 电子散射的模拟过程第37-39页
第四章 电子在PMMA中沉积能量分布的Monte Carlo模拟第39-61页
    4.1 入射束能和胶层厚度对沉积能分布的影响第39-49页
        4.1.1 入射束能对沉积能分布的影响第39-41页
        4.1.2 前散射电子和背散射电子对能量沉积的贡献第41-45页
        4.1.3 胶层厚度对沉积能分布的影响第45-47页
        4.1.4 最佳束能和胶厚的优化理论第47-49页
    4.2 基于两种不同理论阻止本领计算的沉积能分布第49-61页
        4.2.1 背散射系数的比较第49-50页
        4.2.2 沉积能深度分布的差异第50-52页
        4.2.3 沉积能面密度的差异第52-54页
        4.2.4 沉积能体密度的差异第54-58页
        4.2.5 两种理论阻止本领下前散射电子和背散射电子对胶中沉积能贡献的比较第58-60页
        4.2.6 结论第60-61页
总结第61-62页
参考文献第62-66页
致谢第66-67页
学位论文评阅及答辩情况表第67页

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