| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·Si 衬底 GaN 材料生长的研究意义 | 第8-9页 |
| ·Si 衬底 GaN 材料生长的关键问题 | 第9页 |
| ·Si 衬底 GaN 基半导体材料的研究现状 | 第9-10页 |
| ·Si 衬底 GaN 基材料研究方法 | 第10-12页 |
| ·制备 GaN 材料的衬底介绍 | 第12-14页 |
| ·本章小结 | 第14-16页 |
| 第二章 GaN 材料的性质与应用和基于 MOCVD 的生长机理 | 第16-28页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第16-18页 |
| ·GaN 基半导体材料的应用 | 第18-19页 |
| ·GaN 基半导体材料在光电领域的应用 | 第18页 |
| ·GaN 基半导体材料在电子器件领域的应用 | 第18-19页 |
| ·MOCVD 生长系统介绍 | 第19-24页 |
| ·MOCVD 技术的基本原理 | 第19-21页 |
| ·MOCVD 系统组成 | 第21-24页 |
| ·材料生长的基本模式 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 外延薄膜的表征与测试 | 第28-34页 |
| ·基于光学显微镜的表面形貌观察介绍 | 第28页 |
| ·基于 XRD 的 GaN 结晶质量测试分析 | 第28-30页 |
| ·XRD 测试原理介绍 | 第28-30页 |
| ·X 射线双晶衍射的扫描方法 | 第30页 |
| ·表面形貌的原子力显微镜（AFM）观测介绍 | 第30-31页 |
| ·基于拉曼散射的应力测试介绍 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 Si 衬底 GaN 材料的生长 | 第34-52页 |
| ·生长 GaN 缓冲层的选择 | 第34页 |
| ·脉冲法生长 AlN 外延材料 | 第34-36页 |
| ·Si 衬底 GaN 生长的前期处理 | 第36-37页 |
| ·预铺 Al 的时间的优化 | 第37-38页 |
| ·高温 AlN 缓冲层生长温度对 GaN 薄膜的影响 | 第38-41页 |
| ·高温 AIN 缓冲层厚度对外延薄膜的影响 | 第41-48页 |
| ·基于 XRD 的晶格常数计算和结晶质量分析 | 第42-44页 |
| ·基于光学显微镜和 AFM 的表面形貌分析 | 第44-46页 |
| ·基于拉曼光谱的应力分析 | 第46-48页 |
| ·采用双缓冲层结构的 GaN 生长 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 渐变组分 Al_xGa_(1-x)N 插入层法生长高质量 GaN | 第52-64页 |
| ·渐变 Al_xGa_(1-x)N 缓冲层的组分变化的个数对 GaN 层的影响 | 第52-56页 |
| ·渐变 Al_xGa_(1-x)N 插入层厚度的优化 | 第56-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| ·论文总结 | 第64页 |
| ·工作展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
