| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·GaN 基材料特性及其发展 | 第11-14页 |
| ·III-V 族半导体材料 GaN 的特性 | 第11-12页 |
| ·III-V 族半导体材料 GaN 的研究状况 | 第12-13页 |
| ·基于 GaN 材料的 HEMT 器件的历史进程 | 第13-14页 |
| ·以 GaN 为主的 III-V 族异质结材料及其相关器件的发展状况 | 第14-19页 |
| ·GaN 基单、双、多异质结的发展历程 | 第14-15页 |
| ·多沟道 AlGaN/GaN 异质结材料与器件的研究进展及意义 | 第15-19页 |
| ·本论文的研究内容和安排 | 第19-21页 |
| 第二章 GaN 基异质结的能带结构及二维电子气调制分布的仿真研究 | 第21-33页 |
| ·GaN 基异质结的极化机理及能带结构 | 第21-24页 |
| ·GaN 基异质结的极化机理 | 第21-23页 |
| ·GaN 基异质结的能带结构 | 第23-24页 |
| ·2DEG 在 AlGaN/GaN 单、双、多沟道中分布的仿真设计 | 第24-28页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结中载流子在单、双、多沟道中的分布 | 第24-26页 |
| ·多沟道 AlGaN/GaN 异质结的能带掺杂工程 | 第26-28页 |
| ·三沟道 AlGaN/GaN 异质结构的仿真设计 | 第28-32页 |
| ·多沟道 AlGaN/GaN 异质结中 2DEG 的调制分布 | 第28-29页 |
| ·几种三沟道 AlGaN/GaN 异质结构 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 三沟道 AlGaN/GaN 异质结材料生长及特性研究 | 第33-51页 |
| ·几种常见的 GaN 基材料的表征手段 | 第33-36页 |
| ·三沟道 AlGaN/GaN 异质结材料的生长与分析 | 第36-48页 |
| ·三沟道 AlGaN/GaN 异质结材料的生长 | 第37-38页 |
| ·样品的 AFM 形貌图 | 第38-40页 |
| ·样品的 XRD 曲线图 | 第40-42页 |
| ·三沟道 AlGaN/GaN 异质结的电特性曲线图 | 第42-43页 |
| ·多沟道 AlGaN/GaN 异质结材料的高、低温电输运特性曲线图 | 第43-46页 |
| ·三沟道 AlGaN/GaN 异质结的霍尔效应测试 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-51页 |
| 第四章 三沟道 AlGaN/GaN 异质结器件制备及特性测试 | 第51-65页 |
| ·器件制造工艺及三沟道 AlGaN/GaN HEMT 器件制备 | 第51-56页 |
| ·传统 AlGaN/GaN 异质结 HEMT 器件制备的主要步骤 | 第51-53页 |
| ·三沟道 AlGaN/GaN HEMTs 的制作流程 | 第53-56页 |
| ·未掺杂三沟道 AlGaN/GaN HEMT 器件特性 | 第56-62页 |
| ·单、双、三沟道 AlGaN/GaN HEMT 器件基本特性的对比分析 | 第56-62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 硕士期间的科研成果及获奖情况 | 第77-79页 |
