| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-37页 |
| ·半导体集成电路和硅化物 | 第9-17页 |
| ·稀土金属硅化物 | 第17-33页 |
| ·RE硅化物的晶体结构和在Si衬底上的外延生长 | 第17-25页 |
| ·RE硅化物的制备和生长中的氧化及形貌问题 | 第25-29页 |
| ·RE硅化物的电学特性;电阻率与Schottky势垒 | 第29-33页 |
| ·RE硅化物与Schottky源/漏MOSFET | 第33-37页 |
| 第二章 实验方法与理论模型 | 第37-49页 |
| ·样品制备手段 | 第37-39页 |
| ·样品表征方法 | 第39-49页 |
| ·薄层电阻和四探针 | 第39-41页 |
| ·X射线衍射术 | 第41-42页 |
| ·扫描电子显微镜和原子力显微镜 | 第42-44页 |
| ·俄歇电子能谱仪和二次离子质谱仪 | 第44-46页 |
| ·电流-电压特性测试及分析模型 | 第46-49页 |
| 第三章 YSi_(2-x)薄膜的生长及性质表征 | 第49-67页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·样品的制备与测试 | 第49-50页 |
| ·YSi_(2-x)薄膜的薄层电阻与物相分析 | 第50-52页 |
| ·YSi_(2-x)薄膜的表面形貌 | 第52-57页 |
| ·YSi_(2-x)/Si(100)接触特性 | 第57-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 第四章 ErSi_(2-x)薄膜的生长及性质表征 | 第67-91页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·样品的制备与测试 | 第67-68页 |
| ·ErSi_(2-x)薄膜的薄层电阻与物相分析 | 第68-71页 |
| ·ErSi_(2-x)薄膜的表面形貌 | 第71-76页 |
| ·ErSi_(2-x)/Si(100)接触特性 | 第76-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 第五章 利用W覆盖层制备ErSi_(2-x)薄膜及其性质表征 | 第91-113页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·样品的制备与测试 | 第92-93页 |
| ·退火条件下W和WSi_2薄膜的性质 | 第93-100页 |
| ·W覆盖层自对准ErSi_(2-x)工艺技术 | 第100-104页 |
| ·W覆盖层自对准ErSi_(2-x)薄膜性质表征 | 第104-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 第六章 Er中间层对Ni/Si(100)固相反应、NiSi/Si(100)接触特性的影响 | 第113-121页 |
| ·引言 | 第113-114页 |
| ·样品的制备与测试 | 第114-115页 |
| ·Er中间层对Ni/Si(100)固相反应的影响 | 第115-118页 |
| ·Er中间层对NiSi/Si(100)接触特性的影响 | 第118-120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 第七章 掺Pt对Si(100)上生长的NiSi薄膜应力影响研究 | 第121-135页 |
| ·引言 | 第121页 |
| ·硅化物薄膜的应力与测试方法 | 第121-124页 |
| ·样品的制备与测试 | 第124-125页 |
| ·Ni_xPt_(1-x)Si薄膜的薄层电阻 | 第125-126页 |
| ·Ni_xPt_(1-x)Si薄膜的应力 | 第126-130页 |
| ·对薄膜热应力的进一步讨论 | 第130-133页 |
| ·本章小结 | 第133-135页 |
| 第八章 总结 | 第135-139页 |
| 参考文献 | 第139-147页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第147-149页 |
| 致谢 | 第149-150页 |
