| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪 论 | 第7-14页 |
| 1．1 引言 | 第7-8页 |
| 1．2 GaAs MESFET中金属化系统可靠性的研究进展 | 第8-12页 |
| 1．3 课题背景及意义 | 第12-14页 |
| 第二章 金属-半导体接触理论 | 第14-24页 |
| 2．1 金属和半导体的功函数与接触电势差 | 第14-16页 |
| 2．2 肖特基势垒模型 | 第16-17页 |
| 2．3 金-半接触的电流输运机理 | 第17-21页 |
| 2．3．1 越过势垒的输运 | 第18-21页 |
| 2．3．2 隧道电流 | 第21页 |
| 2．4 肖特基势垒中电流的形成 | 第21-22页 |
| 2．5 欧姆接触 | 第22-24页 |
| 第三章 肖特基势垒栅特征参数及失效激活能的快速提取技术 | 第24-51页 |
| 3．1 理论依据 | 第24-25页 |
| 3．2 肖特基势垒高度的一般提取方法 | 第25-29页 |
| 3．3 势垒高度及失效激活能的快速提取 | 第29-31页 |
| 3．3．1 恒定电流应力温度斜坡法 | 第29-31页 |
| 3．3．2 理想因子n和反向饱和电流的提取 | 第31页 |
| 3．4 实验样品与实验系统 | 第31-36页 |
| 3．4．1 实验样品 | 第31-34页 |
| 3．4．2 实验系统 | 第34-36页 |
| 3．5 栅样品实验结果与数据分析 | 第36-51页 |
| 3．5．1 实验过程 | 第36-37页 |
| 3．5．2 实验应力条件 | 第37-39页 |
| 3．5．3 实验结果与数据分析 | 第39-49页 |
| 3．5．4 本方法的特点 | 第49-51页 |
| 第四章 GaAs MESFET中的失效敏感参数和失效激活能的快速提取技术 | 第51-74页 |
| 4．1 功率GaAs MESFET的主要失效模式 | 第51页 |
| 4．2 GaAs MESFET样品中敏感参数的提取及评价 | 第51-53页 |
| 4．3 寿命预测模型 | 第53-54页 |
| 4．4 实验样品与实验系统 | 第54-60页 |
| 4．4．1 实验样品 | 第54-56页 |
| 4．4．2 实验系统 | 第56-60页 |
| 4．5 GaAs MESFET实验结果与数据分析 | 第60-74页 |
| 4．5．1 实验过程 | 第60-62页 |
| 4．5．2 实验应力条件 | 第62-64页 |
| 4．5．3 实验结果与数据分析 | 第64-73页 |
| 4．5．4 本方法的优点 | 第73-74页 |
| 第五章 结论 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 附表 | 第78页 |
