KrF掩模版在ArF曝光机上的应用研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 引言 | 第5-8页 |
| 1.1 研究背景 | 第5-6页 |
| 1.2 本文研究意义 | 第6-7页 |
| 1.3 本章小结 | 第7-8页 |
| 第2章 光刻技术原理及工艺流程 | 第8-20页 |
| 2.1 光刻工艺在集成电路制造中的作用 | 第8-9页 |
| 2.2 光刻技术的光学原理 | 第9-12页 |
| 2.3 光刻技术的工艺流程 | 第12-18页 |
| 2.4 光刻曝光光源 | 第18-19页 |
| 2.5 本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 光刻分辨率增强技术的应用与分析 | 第20-26页 |
| 3.1 离轴照明技术 | 第20-23页 |
| 3.2 相移掩模技术 | 第23-24页 |
| 3.3 光学邻近效应校正技术 | 第24-25页 |
| 3.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第4章 光刻胶选用及其评估 | 第26-39页 |
| 4.1 光刻胶的类型及其性能指标 | 第26-28页 |
| 4.2 光刻胶反应机理 | 第28-30页 |
| 4.3 深紫外线光刻胶 | 第30页 |
| 4.4 光刻胶的选择及评估 | 第30-38页 |
| 4.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 KrF掩模版在ArF光刻机上应用与优化 | 第39-64页 |
| 5.1 KrF掩模版与ArF掩模版的区别 | 第39-41页 |
| 5.2 KrF光刻工艺与ArF光刻工艺对比 | 第41-44页 |
| 5.3 ArF光刻工艺评估及工艺参数优化 | 第44-53页 |
| 5.4 OPC模型验证 | 第53-54页 |
| 5.5 CD均匀性和剖面检查 | 第54-62页 |
| 5.6 硅片缺陷及产品良率检测 | 第62-63页 |
| 5.7 本章小结 | 第63-64页 |
| 第6章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 总结 | 第64-65页 |
| 6.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
