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深纳米CMOS技术寄生效应及其波动性的精准模型与参数提取研究

摘要第6-9页
Abstract第9-12页
第一章 绪论第15-30页
    1.1 研究背景第15-17页
    1.2 发展动态分析第17-22页
        1.2.1 国际研究现状第17-21页
        1.2.2 国内研究现状第21-22页
    1.3 论文的选题与意义第22-24页
    1.4 本文研究内容与结构第24页
    本章参考文献第24-30页
第二章 深纳米CMOS工艺寄生效应及其波动性分析第30-52页
    2.1 MOS器件寄生效应分析第30-38页
        2.1.1 栅围寄生电容第30-36页
        2.1.2 栅围寄生电阻第36-38页
    2.2 多层互连寄生效应分析第38-41页
        2.2.1 互连线寄生电容第38-40页
        2.2.2 互连线寄生电阻第40-41页
    2.3 多层互连的工艺波动对寄生效应的影响第41-47页
        2.3.1 铜互连工艺流程第41-42页
        2.3.2 光刻工艺引入波动分析第42-43页
        2.3.3 刻蚀工艺引入波动分析第43-44页
        2.3.4 淀积工艺引入波动分析第44-45页
        2.3.5 CMP工艺引入波动分析第45-47页
    2.4 工艺寄生效应模型建立方法分析第47-49页
    本章小结第49页
    本章参考文献第49-52页
第三章 MOSFET栅围寄生电容版图布局效应模型研究第52-64页
    3.1 栅围寄生电容的建模分类与流程分析第52-54页
    3.2 版图布局效应模型测试结构设计第54-57页
        3.2.1 Gate-poly测试结构第54-56页
        3.2.2 Field-poly去嵌结构第56-57页
    3.3 C_f的版图布局效应模型建立第57-62页
        3.3.1 电学数据分析第57-59页
        3.3.2 模型提取与验证第59-62页
    本章小结第62-63页
    本章参考文献第63-64页
第四章 栅电阻非线性效应模型研究第64-77页
    4.1 棚电阻的建模方法与流程分析第64-66页
    4.2 多晶硅栅电阻测试结构设计第66-67页
    4.3 多晶硅栅非线性效应建模第67-74页
        4.3.1 温度与偏压特性建模第67-72页
        4.3.2 栅电阻的寄生电容提取第72-74页
    本章小结第74-75页
    本章参考文献第75-77页
第五章 多层互连寄生效应测试结构设计与参数提取第77-103页
    5.1 多层互连寄生效应影响及建模流程分析第77-79页
    5.2 CBCM测试技术第79-85页
        5.2.1 传统CBCM结构第79-81页
        5.2.2 CIEF CBCM结构第81-82页
        5.2.3 CIEF CBCM驱动电路设计第82-85页
    5.3 互连线寄生参数测试结构设计第85-92页
        5.3.1 互连线寄生电容测试结构第86-90页
        5.3.2 互连线寄生电阻测试结构第90-92页
    5.4 测试结构的寄生参数提取第92-101页
        5.4.1 寄生参数的提取流程第92-96页
        5.4.2 基础典型ITF文件分析第96-99页
        5.4.3 基础典型ITF文件提取的寄生参数分析第99-101页
    本章小结第101页
    本章参考文献第101-103页
第六章 与互连工艺波动相关的ITF文件建立第103-124页
    6.1 互连寄生效应局部工艺波动分析第103-108页
    6.2 典型ITF文件的完善第108-117页
        6.2.1 互连工艺波动模块分析第108-111页
        6.2.2 局部工艺波动相关的典型ITF文件建立第111-117页
    6.3 互连寄生效应全局工艺波动分析第117-121页
    6.4 角ITF文件的完善第121-123页
    本章小结第123页
    本章参考文献第123-124页
第七章 总结与展望第124-127页
    7.1 总结第124-125页
    7.2 展望第125-127页
附录 缩略词及专业词汇描述第127-129页
攻读学位期间发表论文、专利及参与项目情况第129-131页
致谢第131页

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