摘要 | 第6-9页 |
Abstract | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第15-30页 |
1.1 研究背景 | 第15-17页 |
1.2 发展动态分析 | 第17-22页 |
1.2.1 国际研究现状 | 第17-21页 |
1.2.2 国内研究现状 | 第21-22页 |
1.3 论文的选题与意义 | 第22-24页 |
1.4 本文研究内容与结构 | 第24页 |
本章参考文献 | 第24-30页 |
第二章 深纳米CMOS工艺寄生效应及其波动性分析 | 第30-52页 |
2.1 MOS器件寄生效应分析 | 第30-38页 |
2.1.1 栅围寄生电容 | 第30-36页 |
2.1.2 栅围寄生电阻 | 第36-38页 |
2.2 多层互连寄生效应分析 | 第38-41页 |
2.2.1 互连线寄生电容 | 第38-40页 |
2.2.2 互连线寄生电阻 | 第40-41页 |
2.3 多层互连的工艺波动对寄生效应的影响 | 第41-47页 |
2.3.1 铜互连工艺流程 | 第41-42页 |
2.3.2 光刻工艺引入波动分析 | 第42-43页 |
2.3.3 刻蚀工艺引入波动分析 | 第43-44页 |
2.3.4 淀积工艺引入波动分析 | 第44-45页 |
2.3.5 CMP工艺引入波动分析 | 第45-47页 |
2.4 工艺寄生效应模型建立方法分析 | 第47-49页 |
本章小结 | 第49页 |
本章参考文献 | 第49-52页 |
第三章 MOSFET栅围寄生电容版图布局效应模型研究 | 第52-64页 |
3.1 栅围寄生电容的建模分类与流程分析 | 第52-54页 |
3.2 版图布局效应模型测试结构设计 | 第54-57页 |
3.2.1 Gate-poly测试结构 | 第54-56页 |
3.2.2 Field-poly去嵌结构 | 第56-57页 |
3.3 C_f的版图布局效应模型建立 | 第57-62页 |
3.3.1 电学数据分析 | 第57-59页 |
3.3.2 模型提取与验证 | 第59-62页 |
本章小结 | 第62-63页 |
本章参考文献 | 第63-64页 |
第四章 栅电阻非线性效应模型研究 | 第64-77页 |
4.1 棚电阻的建模方法与流程分析 | 第64-66页 |
4.2 多晶硅栅电阻测试结构设计 | 第66-67页 |
4.3 多晶硅栅非线性效应建模 | 第67-74页 |
4.3.1 温度与偏压特性建模 | 第67-72页 |
4.3.2 栅电阻的寄生电容提取 | 第72-74页 |
本章小结 | 第74-75页 |
本章参考文献 | 第75-77页 |
第五章 多层互连寄生效应测试结构设计与参数提取 | 第77-103页 |
5.1 多层互连寄生效应影响及建模流程分析 | 第77-79页 |
5.2 CBCM测试技术 | 第79-85页 |
5.2.1 传统CBCM结构 | 第79-81页 |
5.2.2 CIEF CBCM结构 | 第81-82页 |
5.2.3 CIEF CBCM驱动电路设计 | 第82-85页 |
5.3 互连线寄生参数测试结构设计 | 第85-92页 |
5.3.1 互连线寄生电容测试结构 | 第86-90页 |
5.3.2 互连线寄生电阻测试结构 | 第90-92页 |
5.4 测试结构的寄生参数提取 | 第92-101页 |
5.4.1 寄生参数的提取流程 | 第92-96页 |
5.4.2 基础典型ITF文件分析 | 第96-99页 |
5.4.3 基础典型ITF文件提取的寄生参数分析 | 第99-101页 |
本章小结 | 第101页 |
本章参考文献 | 第101-103页 |
第六章 与互连工艺波动相关的ITF文件建立 | 第103-124页 |
6.1 互连寄生效应局部工艺波动分析 | 第103-108页 |
6.2 典型ITF文件的完善 | 第108-117页 |
6.2.1 互连工艺波动模块分析 | 第108-111页 |
6.2.2 局部工艺波动相关的典型ITF文件建立 | 第111-117页 |
6.3 互连寄生效应全局工艺波动分析 | 第117-121页 |
6.4 角ITF文件的完善 | 第121-123页 |
本章小结 | 第123页 |
本章参考文献 | 第123-124页 |
第七章 总结与展望 | 第124-127页 |
7.1 总结 | 第124-125页 |
7.2 展望 | 第125-127页 |
附录 缩略词及专业词汇描述 | 第127-129页 |
攻读学位期间发表论文、专利及参与项目情况 | 第129-131页 |
致谢 | 第131页 |