IC芯片自动旋转喷淋清洗工艺的优化实践
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 研究的目的和意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外发展状况和发展趋势 | 第8-10页 |
| 1.3 半导体制造简介 | 第10-11页 |
| 1.4 本文主要研究的内容及结构安排 | 第11-15页 |
| 第2章 清洗的基本理论和常用清洗方法 | 第15-27页 |
| 2.1 硅片清洗的基本理论 | 第15-17页 |
| 2.1.1 硅片的表面状态与洁净度 | 第15-16页 |
| 2.1.2 吸附理论 | 第16-17页 |
| 2.2 硅片表面沾污杂质的来源和分类 | 第17-20页 |
| 2.2.1 颗粒杂质 | 第17-18页 |
| 2.2.2 有机物 | 第18-19页 |
| 2.2.3 金属污染物 | 第19页 |
| 2.2.4 原生氧化物及化学氧化物 | 第19-20页 |
| 2.3 硅片传统湿法化学清洗 | 第20-25页 |
| 2.3.1 SC1清洗 | 第20-22页 |
| 2.3.2 SC2清洗 | 第22-23页 |
| 2.3.3 SC3清洗 | 第23-24页 |
| 2.3.4 DHF(Dilute HF)清洗 | 第24-25页 |
| 2.4 硅片清洗的一般程序 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 旋转喷淋清洗机改进及清洗工艺优化 | 第27-38页 |
| 3.1 旋转喷淋清洗技术 | 第27-32页 |
| 3.1.1 旋转喷淋清洗机的产生 | 第27-28页 |
| 3.1.2 旋转喷淋清洗机介绍 | 第28-31页 |
| 3.1.3 实验设备改进 | 第31-32页 |
| 3.2 喷淋清洗工艺优化 | 第32-36页 |
| 3.2.1 SC3优化 | 第32-33页 |
| 3.2.2 SC1/2优化 | 第33-34页 |
| 3.2.3 DHF优化 | 第34-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 清洗方法优化与结果分析 | 第38-43页 |
| 4.1 清洗顺序优化 | 第38-40页 |
| 4.2 清洗时间优化 | 第40-42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
