| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-56页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·稀土的基本性质 | 第14-18页 |
| ·原子结构和物化性质 | 第14-15页 |
| ·光学性能 | 第15-18页 |
| ·稀土发光材料的研究进展 | 第18-56页 |
| ·Er掺杂Si基材料的发光性能 | 第18-28页 |
| ·稀土掺杂Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的发光性能 | 第28-32页 |
| ·稀土掺杂ZnO基发光材料 | 第32-45页 |
| ·稀土掺杂TiO_2基发光材料 | 第45-56页 |
| 第三章 材料和器件的制备方法及表征 | 第56-60页 |
| ·材料和器件的制备设备 | 第56页 |
| ·磁控溅射设备 | 第56页 |
| ·热蒸发设备 | 第56页 |
| ·旋涂设备 | 第56页 |
| ·热处理设备 | 第56页 |
| ·材料和器件的制备工艺 | 第56-57页 |
| ·衬底准备 | 第56-57页 |
| ·发光层薄膜制备 | 第57页 |
| ·电极制备 | 第57页 |
| ·材料和器件的测试设备 | 第57-60页 |
| ·晶体结构、形貌与组成的表征设备 | 第57-58页 |
| ·光学性能测试设备 | 第58-59页 |
| ·电学性能测试设备 | 第59-60页 |
| 第四章 ZnO：Er/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第60-74页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·ZnO：Er薄膜的制备 | 第61页 |
| ·ZnO：Er薄膜的表征 | 第61-67页 |
| ·ZnO：Er/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第67-71页 |
| ·电致发光的机理分析 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 第五章 硅基Mg_xZn_(1-x)O/ZnO：RE异质结器件的电致发光 | 第74-92页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·Mg_xZn_(1-x)O/ZnO：RE薄膜的制备 | 第75-76页 |
| ·各层薄膜的表征 | 第76-81页 |
| ·硅基Mg_xZn_(1-x)O/ZnO：RE异质结器件的电致发光 | 第81-84页 |
| ·器件结构对器件电致发光的影响 | 第84-88页 |
| ·电致发光的机理分析 | 第88-90页 |
| ·小结 | 第90-92页 |
| 第六章 TiO_2：Er/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第92-104页 |
| ·引言 | 第92页 |
| ·TiO_2：Er薄膜的制备 | 第92-93页 |
| ·TiO_2：Er薄膜的表征 | 第93-97页 |
| ·TiO_2：Er/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第97-100页 |
| ·电致发光的机理分析 | 第100-102页 |
| ·小结 | 第102-104页 |
| 第七章 通过Al的共掺调控TiO_2：Er/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第104-116页 |
| ·引言 | 第104页 |
| ·Al和Er共掺杂TiO_2薄膜的制备 | 第104-105页 |
| ·掺Al前后对TiO_2：Er薄膜性能的影响分析 | 第105-110页 |
| ·掺Al前后对TiO_2：Er/p~+-Si异质结器件的电致发光的影响 | 第110-112页 |
| ·Al的共掺对TiO_2中Er发光调控的机制分析 | 第112-115页 |
| ·小结 | 第115-116页 |
| 第八章 TiO_2：Nd/p~+-Si异质结器件的红外电致发光 | 第116-128页 |
| ·引言 | 第116页 |
| ·TiO_2：Nd薄膜的制备 | 第116-117页 |
| ·TiO_2：Nd薄膜的表征 | 第117-120页 |
| ·TiO_2：Nd/p~+-Si异质结器件的红外电致发光 | 第120-123页 |
| ·电致发光的机理分析 | 第123-126页 |
| ·小结 | 第126-128页 |
| 第九章 总结 | 第128-132页 |
| 参考文献 | 第132-146页 |
| 致谢 | 第146-148页 |
| 个人简历 | 第148-150页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第150-151页 |
