| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·GaN晶体性质 | 第10-13页 |
| ·GaN晶体的制备 | 第13-16页 |
| ·GaN材料的应用 | 第16-17页 |
| ·论文主要研究的内容 | 第17-18页 |
| ·参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 GaN/Al_2O_3薄膜的MOCVD外延生长技术及位错密度分析 | 第20-36页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·GaN/Al_2O_3薄膜的MOCVD外延生长 | 第20-27页 |
| ·MOCVD技术生长GaN晶体薄膜的基本原理 | 第20-21页 |
| ·生长GaN的衬底选择 | 第21-23页 |
| ·GaN的两步法外延生长 | 第23-25页 |
| ·GaN外延层的生长工艺 | 第25-27页 |
| ·GaN/Al_2O_3薄膜中的位错密度随厚度的变化 | 第27-32页 |
| ·GaN/Al_2O_3薄膜中的位错介绍 | 第27-28页 |
| ·GaN/Al_2O_3薄膜中的位错密度随厚度的变化 | 第28-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| ·参考文献 | 第33-36页 |
| 第三章 GaN薄膜中马赛克结构随厚度发生的变化 | 第36-52页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·实验与原理 | 第36-40页 |
| ·马赛克结构的介绍 | 第36-37页 |
| ·高分辨X射线衍射介绍 | 第37-39页 |
| ·高分辨X射线衍射的原理 | 第39-40页 |
| ·GaN薄膜中的马赛克结构随厚度发生的变化 | 第40-48页 |
| ·Pseudo-Voigt函数拟合方法 | 第40-42页 |
| ·Pseudo-Voigt函数计算相关量 | 第42-43页 |
| ·Williamson-Hall方法 | 第43-46页 |
| ·外推法测量面内扭转角 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| ·参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 厚度对GaN薄膜的光学性质的影响 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·透射光谱和吸收光谱 | 第52-56页 |
| ·光致发光谱 | 第56-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| ·参考文献 | 第63-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-66页 |
| 硕士期间发表论文和参加会议 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
