| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-13页 |
| 主要符号表 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-31页 |
| ·概述 | 第15-16页 |
| ·传统的刻蚀方法 | 第16-22页 |
| ·湿法刻蚀及其新进展 | 第16-19页 |
| ·干法刻蚀及其新进展 | 第19-22页 |
| ·超临界二氧化碳刻蚀及其新进展 | 第22-24页 |
| ·课题的选取及研究方法 | 第24-26页 |
| 本章参考文献 | 第26-31页 |
| 第二章 实验设备和测试分析方法 | 第31-40页 |
| ·超临界二氧化碳刻蚀系统 | 第31-32页 |
| ·测试分析方法 | 第32-39页 |
| ·椭圆偏振光谱仪(SE) | 第32-33页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR) | 第33-36页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第36-37页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第37-39页 |
| 本章参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 不同条件对二氧化硅刻蚀速率的影响 | 第40-49页 |
| ·实验流程 | 第40-42页 |
| ·超临界二氧化碳刻蚀 | 第40-41页 |
| ·RCA清洗 | 第41-42页 |
| ·不同条件对SiO_2刻蚀速率的影响 | 第42-48页 |
| ·HF浓度对SiO_2刻蚀速率的影响 | 第42-44页 |
| ·温度对SiO_2刻蚀速率的影响 | 第44-45页 |
| ·压强对SiO_2刻蚀速率的影响 | 第45-46页 |
| ·时间对SiO_2刻蚀速率的影响 | 第46-48页 |
| 本章参考文献 | 第48-49页 |
| 第四章 scCO_2刻蚀SiO_2表面性质的分析 | 第49-59页 |
| ·SiO_2刻蚀表面形貌的分析 | 第49-53页 |
| ·SiO_2刻蚀表面的SEM | 第49-50页 |
| ·HF浓度对SiO_2刻蚀表面形貌的影响 | 第50-53页 |
| ·刻蚀表面残渣的结构分析 | 第53-55页 |
| ·HF浓度对SiO_2表面刻蚀残渣的影响 | 第55-56页 |
| ·SiO_2完全刻蚀之后的Si-SiO_2界面 | 第56页 |
| ·HF/pyridine/scCO_2刻蚀SiO_2的反应机理 | 第56-58页 |
| 本章参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第63页 |