基于20V NLDMOS结构的ESD防护器件的设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-13页 |
| ·ESD保护的发展动态 | 第9-10页 |
| ·论文研究背景与意义 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 ESD保护的基本结构 | 第13-31页 |
| ·ESD保护的机理 | 第13-14页 |
| ·低压ESD保护器件 | 第14-21页 |
| ·二极管 | 第15-17页 |
| ·BJT | 第17-18页 |
| ·MOSFET | 第18-20页 |
| ·SCR | 第20-21页 |
| ·高压ESD保护器件 | 第21-29页 |
| ·高压MOS器件 | 第22-26页 |
| ·高压SCR器件 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 NLDMOS的ESD特性分析 | 第31-43页 |
| ·ESD高压保护器件NLDMOS的工作原理 | 第31-33页 |
| ·器件结构 | 第31-32页 |
| ·工作原理的分析 | 第32-33页 |
| ·器件的仿真分析 | 第33-39页 |
| ·雪崩击穿点 | 第34-35页 |
| ·瞬间回落点 | 第35-37页 |
| ·维持电压点 | 第37-38页 |
| ·二次击穿点 | 第38-39页 |
| ·测试结果及分析 | 第39-40页 |
| ·SOFT LEAKAGE产生的原理分析 | 第40-41页 |
| ·电场诱导 | 第40-41页 |
| ·热诱导 | 第41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第四章 器件结构的优化设计 | 第43-68页 |
| ·器件参数的优化设计 | 第43-53页 |
| ·漂移区LOCOS长度的优化 | 第43-45页 |
| ·沟道长度的优化 | 第45-47页 |
| ·有源区长板长度的优化 | 第47-49页 |
| ·漏端接触到LOCOS距离的优化 | 第49-50页 |
| ·衬底与源端注入距离的优化 | 第50-53页 |
| ·基于NLDMOS的SCR器件 | 第53-60页 |
| ·SCR器件的仿真 | 第53-58页 |
| ·SCR器件的优化 | 第58-60页 |
| ·器件版图的优化 | 第60-63页 |
| ·有源区的优化 | 第61-62页 |
| ·漏端接触端部的优化 | 第62-63页 |
| ·测试结果 | 第63-66页 |
| ·NLDMOS器件的测试结果 | 第63-65页 |
| ·SCR器件的测试结果 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74页 |
