| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·前言 | 第8页 |
| ·功率放大器器件形式和衬底材料的选择 | 第8-10页 |
| ·器件形式的选择 | 第8-9页 |
| ·衬底材料的选择 | 第9-10页 |
| ·GaAs HBT功率放大器研究现状 | 第10-12页 |
| ·论文主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 GaAs HBT功率放大器设计原理 | 第13-27页 |
| ·GaAs HBT的器件特性 | 第13-14页 |
| ·自热效应及电流增益坍塌 | 第14-19页 |
| ·功率放大器的电学稳定性 | 第19-22页 |
| ·自适应线性偏置电路 | 第22-27页 |
| 第三章 GaAs HBT功率放大器设计过程 | 第27-45页 |
| ·芯片设计流程介绍 | 第27页 |
| ·论文依托及设计指标 | 第27-31页 |
| ·论文依托 | 第27-29页 |
| ·设计指标 | 第29-31页 |
| ·原理图仿真过程 | 第31-41页 |
| ·末级放大器的仿真 | 第31-39页 |
| ·提高功率管的稳定性 | 第31-33页 |
| ·偏置网络和直流工作点 | 第33-36页 |
| ·匹配电路的设计 | 第36-39页 |
| ·前两级放大器仿真 | 第39-40页 |
| ·三级级联仿真结果 | 第40-41页 |
| ·版图仿真过程 | 第41-45页 |
| 第四章 GaAs HBT功率放大器的测试及结果分析 | 第45-58页 |
| ·直流工作点的测试 | 第47页 |
| ·小信号S参数的测试 | 第47-51页 |
| ·线性输出功率与效率 | 第51-53页 |
| ·功率放大器线性度的测试 | 第53-56页 |
| ·二次谐波系数 | 第54-55页 |
| ·三阶交调系数(IMD3) | 第55-56页 |
| ·相邻信道干扰率ACPR(Adjacent Channel Power Ratio) | 第56页 |
| ·噪声系数 | 第56-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第64页 |