TSV技术中关键工艺基础研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| ·研究背景 | 第9-27页 |
| ·铜互连 | 第10-13页 |
| ·通孔的制备方法 | 第13-15页 |
| ·扩散阻挡层的研究现状 | 第15-22页 |
| ·常见种子层 | 第22-26页 |
| ·通孔电镀填充 | 第26-27页 |
| ·论文的研究意义、内容及方法 | 第27-29页 |
| ·本论文的研究意义及内容 | 第27页 |
| ·本论文的研究方法 | 第27-28页 |
| ·本论文的章节安排 | 第28-29页 |
| 第二章 阻挡层钛膜的制备工艺研究 | 第29-43页 |
| ·离子束溅射 | 第29-35页 |
| ·离子束溅射技术概述 | 第29-33页 |
| ·本研究内容 | 第33-35页 |
| ·磁控溅射 | 第35-41页 |
| ·磁控溅射概述 | 第35-41页 |
| ·本研究的实验内容 | 第41页 |
| ·结果分析 | 第41-43页 |
| 第三章 钛膜的湿法氧化工艺研究 | 第43-57页 |
| ·氧化钛制备方法 | 第43-45页 |
| ·本研究的内容 | 第45-57页 |
| ·离子束溅射获得的钛片的氧化 | 第46-51页 |
| ·磁控溅射获得的钛片的氧化 | 第51-57页 |
| 第四章 钛膜的阻挡特性研究 | 第57-65页 |
| ·测试方法介绍 | 第57-59页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第57-58页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第58页 |
| ·X射线光电能谱(XPS) | 第58-59页 |
| ·钛膜的阻挡性能 | 第59-65页 |
| 第五章 硅通孔中钛膜的氧化工艺研究 | 第65-77页 |
| ·硅通孔中钛膜的台阶覆盖性研究 | 第65-68页 |
| ·台阶覆盖(Step coverage) | 第65-66页 |
| ·影响台阶覆盖的因素 | 第66-67页 |
| ·本研究的磁控溅射条件 | 第67-68页 |
| ·硅通孔中钛膜的氧化工艺优化 | 第68-77页 |
| 第六章 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和专利 | 第83-85页 |
