| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-30页 |
| ·ULSI集成电路发展的两个主要方向 | 第10-13页 |
| ·深亚微米与纳米集成 | 第10-12页 |
| ·系统的单芯片集成 | 第12-13页 |
| ·ULSI集成电路的衬底工程--SOI技术 | 第13-18页 |
| ·SOI技术的优势 | 第13-14页 |
| ·SOI衬底存在的问题 | 第14-16页 |
| ·克服SOI衬底问题的方法--图形化SOI技术 | 第16-18页 |
| ·图形化SOI技术的发展 | 第18-28页 |
| ·图形化SOI技术的历史回顾 | 第18-23页 |
| ·图形化SOI材料的制备方法 | 第23-28页 |
| ·本论文的工作 | 第28-30页 |
| 第二章 SIMOX技术制备图形化SOI材料 | 第30-49页 |
| ·掩模的选择 | 第30-31页 |
| ·高剂量图形化SOI材料的制备 | 第31-34页 |
| ·注入参数和退火工艺 | 第32页 |
| ·TEM分析与讨论 | 第32-34页 |
| ·低剂量图形化SOI材料的制备 | 第34-40页 |
| ·低剂量SIMOX技术的发展 | 第34-36页 |
| ·注入参数和退火工艺 | 第36页 |
| ·TEM分析 | 第36-38页 |
| ·低剂量图形化SOI材料质量提高的机理分析 | 第38-40页 |
| ·超低剂量图形化SOI材料的制备 | 第40-47页 |
| ·超薄BOX层的研究意义和发展状况 | 第41-42页 |
| ·制备极薄BOX层的探索 | 第42-44页 |
| ·超低剂量制备图形化SOI材料 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 DSOI器件的模拟、制作和性能测试 | 第49-73页 |
| ·DSOI器件的模拟分析 | 第49-56页 |
| ·器件的转移特性分析 | 第50-53页 |
| ·器件的输出特性分析 | 第53页 |
| ·器件的自热效应 | 第53-56页 |
| ·制备深亚微米间隔BOX层的可行性 | 第56-61页 |
| ·实验参数 | 第56-57页 |
| ·TEN分析与讨论 | 第57-58页 |
| ·掩模与BOX间距之间的对应关系 | 第58-61页 |
| ·DSOI器件的制作 | 第61-64页 |
| ·器件制作的工艺流程 | 第61-63页 |
| ·器件结构的SEM分析 | 第63-64页 |
| ·器件性能的测试与分析 | 第64-72页 |
| ·器件的转移特性测量 | 第64-66页 |
| ·器件的输出特性测量 | 第66-68页 |
| ·器件的延时特性测量 | 第68-69页 |
| ·器件衬底热阻的测量 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 源漏自对准注氧工艺研究 | 第73-84页 |
| ·源漏自对准注氧工艺流程与分析 | 第73-76页 |
| ·表面无保护层的高温退火结果 | 第76-79页 |
| ·表面有保护层的高温退火结果 | 第79-80页 |
| ·纳米间隔的BOX层和自对准纳米DSOI器件 | 第80-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 图形化SIMOX技术制备纳米通道的探索 | 第84-89页 |
| ·制备纳米通道的常规方法 | 第84-87页 |
| ·纳米通道制备的新方法--图形化SIMOX技术 | 第87页 |
| ·初步实验结果 | 第87-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 结论 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-102页 |
| 附录1 DSOI、SOI和体硅兼容的图形化注氧工艺流程 | 第102-104页 |
| 附录2 缩略词 | 第104-106页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第106-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 个人简历 | 第111-112页 |
| 学位论文独创声明 | 第112页 |