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冰冻固结磨料化学机械抛光单晶硅片的基础研究

摘要第1-7页
Abstract第7-20页
第一章 绪论第20-32页
   ·引言第20-22页
   ·硬脆材料塑性模态加工技术的研究现状第22-23页
   ·超光滑表面抛光技术的研究现状第23-28页
     ·化学机械抛光技术第24-28页
       ·化学机械抛光过程的实验研究第24-25页
       ·化学机械抛光去除机理的理论研究第25-28页
     ·低温抛光技术第28页
   ·研究目的、意义和研究内容第28-31页
     ·目的与意义第28-29页
     ·主要研究内容第29-31页
   ·小结第31-32页
第二章 单晶硅片脆塑模态转变机理的研究第32-47页
   ·引言第32页
   ·不同温度下单晶硅片的脆塑转变机理第32-37页
     ·实验装置与方法第32-34页
       ·试样制备第32页
       ·实验装置与方法第32-34页
     ·结果分析与讨论第34-37页
       ·压痕及压痕裂纹特征第34-36页
       ·温度对单晶硅片硬度的影响第36-37页
   ·连续刚度法研究单晶硅片的力学性能第37-42页
     ·实验装置与方法第38-40页
       ·试样制备第38页
       ·实验装置与方法第38-40页
     ·结果分析与讨论第40-42页
   ·纳米划痕法研究单晶硅片的脆塑转变性能第42-45页
     ·实验方法第42-43页
       ·试样制备第42页
       ·评价方法第42-43页
     ·实验结果与分析第43-45页
       ·断裂韧性第43页
       ·纳米划擦性能第43-45页
       ·临界切削深度模型第45页
   ·小结第45-47页
第三章 纳米α-Al_20_3、CeO_2颗粒的分散工艺研究第47-61页
   ·引言第47页
   ·纳米粒子的分散技术第47-51页
     ·纳米粒子的基本性质第47页
     ·纳米颗粒在液相中的分散原理第47-49页
     ·纳米颗粒的分散方法第49-50页
     ·纳米颗粒液相分散性的评价方法第50-51页
   ·纳米α-Al_2O_3 在水相介质中的分散性能研究第51-56页
     ·实验方法第51-52页
       ·水相介质中纳米α-Al_2O_3 的Zeta 电位测量第51页
       ·分散剂最佳浓度和最佳超声时间的确定第51页
       ·纳米α-Al_2O_3 沉淀物的测量第51-52页
     ·结果分析与讨论第52-56页
       ·水相介质中纳米α-Al_2O_3 的Zeta 电位第52-53页
       ·不同分散剂中超声分散时间对纳米α-Al_2O_3 分散性的影响第53页
       ·分散剂浓度对纳米α-Al_2O_3 分散性的影响第53-56页
   ·纳米CeO_2 在水相介质中的分散性能研究第56-60页
     ·实验第56-57页
       ·实验材料及仪器第56页
       ·实验方法第56-57页
     ·结果分析与讨论第57-60页
       ·水相介质中纳米CeO_2 的Zeta 电位第57-58页
       ·不同分散剂中超声分散时间对纳米CeO_2分散性的影响第58页
       ·分散剂浓度对纳米CeO_2 分散性的影响第58-60页
   ·小结第60-61页
第四章 低温抛光设备及抛光工具的制备第61-73页
   ·引言第61页
   ·抛光设备第61-62页
   ·冰冻固结磨料抛光垫的制备第62-71页
     ·冻冰模具的设计第62-64页
     ·水和冰的特性第64-65页
     ·冰冻固结磨料抛光垫的制备工艺第65-69页
       ·无沟槽型冰冻固结磨料抛光垫的制备工艺第67-68页
       ·沟槽型冰冻固结磨料抛光垫的制备工艺第68-69页
     ·冰冻固结磨料抛光垫的性能表征第69-71页
       ·里氏硬度计的测试原理第69-70页
       ·实验方法与装置第70-71页
       ·结果与分析第71页
   ·工件盘的制备第71-72页
     ·工件盘的结构设计第71-72页
     ·工件盘材料的选择第72页
   ·小结第72-73页
第五章 冰冻固结磨料抛光运动轨迹及温度场仿真第73-89页
   ·引言第73-74页
   ·冰冻固结磨料抛光运动轨迹仿真第74-79页
     ·冰冻固结磨料抛光运动轨迹理论分析第74-75页
     ·冰冻抛光垫单颗磨粒抛光运动轨迹第75-77页
       ·偏心距e 不同时冰冻抛光垫上单颗磨粒抛光运动轨迹第75-76页
       ·抛光垫转速不同时冰冻抛光垫上单颗磨粒抛光运动轨迹第76-77页
     ·冰冻抛光垫多颗磨粒抛光运动轨迹第77-78页
     ·冰冻抛光垫抛光运动轨迹对硅片表面质量的影响第78-79页
   ·冰冻固结磨料抛光温度场仿真第79-88页
     ·冰冻固结磨料抛光温度场有限元模拟第79-82页
       ·冰冻固结磨料抛光温度场有限元模型的建立第79-81页
       ·冰冻固结磨料抛光温度场计算流程第81-82页
     ·温度测量系统第82-83页
     ·冰冻固结磨料抛光温度场计算结果与分析第83-88页
       ·冰冻固结磨料抛光温度场的计算值与实测值的比较第83-84页
       ·不同环境温度下抛光时间对冰冻固结磨料抛光温度场的影响第84-85页
       ·抛光压力对冰冻固结磨料抛光温度场的影响第85-86页
       ·主轴转速对冰冻固结磨料抛光温度场的影响第86-87页
       ·偏心距对冰冻固结磨料抛光温度场的影响第87-88页
   ·小结第88-89页
第六章 冰冻固结磨料化学机械抛光单晶硅片的工艺研究第89-108页
   ·引言第89页
   ·冰冻固结磨料化学机械抛光单晶硅片的工艺过程第89-93页
     ·单晶硅片的粘结工艺第89-91页
     ·单晶硅片的预加工第91-92页
     ·冰冻抛光垫表面的预抛光第92页
     ·抛光后硅片的表面处理第92-93页
   ·单晶硅片的表面形貌表征方法第93-94页
     ·检测仪器的选择第93-94页
       ·ADE 非接触表面形貌仪第93页
       ·原子力显微镜(AFM)第93-94页
     ·采样区域第94页
   ·材料去除率的测定第94-95页
   ·冰冻固结磨料化学机械抛光单晶硅片的工艺研究第95-106页
     ·抛光垫沟槽对抛光效果的影响第95-97页
       ·抛光后硅片表面粗糙度的均匀性分析第95-96页
       ·抛光垫沟槽对硅片抛光的去除率的影响第96-97页
     ·不同冰冻抛光垫对已加工表面粗糙度和去除率的影响第97-100页
       ·不同冰冻抛光垫对已加工表面粗糙度的影响第97-99页
       ·不同冰冻抛光垫对去除率的影响第99-100页
     ·单晶硅片低温抛光的工艺研究第100-106页
       ·Taguchi 法第100-105页
       ·综合平衡法第105-106页
   ·小结第106-108页
第七章 冰冻固结磨料化学机械抛光单晶硅片的机理分析第108-124页
   ·引言第108页
   ·Al_2O_3 球和玛瑙球对单晶硅片宏观摩擦磨损行为的影响第108-114页
     ·实验装置与方法第108-110页
       ·试样制备第108-109页
       ·实验装置与方法第109-110页
     ·结果分析与讨论第110-114页
       ·单晶硅摩擦磨损性能第110页
       ·单晶硅摩擦表面形貌分析第110-114页
   ·冰冻摩擦偶件对单晶硅片摩擦行为的影响第114-123页
     ·实验装置与方法第114-116页
       ·试样制备第114-115页
       ·实验装置与方法第115-116页
     ·结果分析与讨论第116-123页
       ·单晶硅片摩擦性能第116页
       ·单晶硅片摩擦表面和断面表征第116-119页
       ·单晶硅片与冰冻偶件的摩擦机理第119页
       ·化学反应第119-121页
       ·磨粒的机械作用第121-123页
   ·小结第123-124页
第八章 结论与展望第124-127页
   ·全文总结第124-126页
     ·本文完成的主要工作第124-125页
     ·本文的创新点第125-126页
   ·展望第126-127页
参考文献第127-138页
致谢第138-139页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第139-141页

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