摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-20页 |
第一章 绪论 | 第20-32页 |
·引言 | 第20-22页 |
·硬脆材料塑性模态加工技术的研究现状 | 第22-23页 |
·超光滑表面抛光技术的研究现状 | 第23-28页 |
·化学机械抛光技术 | 第24-28页 |
·化学机械抛光过程的实验研究 | 第24-25页 |
·化学机械抛光去除机理的理论研究 | 第25-28页 |
·低温抛光技术 | 第28页 |
·研究目的、意义和研究内容 | 第28-31页 |
·目的与意义 | 第28-29页 |
·主要研究内容 | 第29-31页 |
·小结 | 第31-32页 |
第二章 单晶硅片脆塑模态转变机理的研究 | 第32-47页 |
·引言 | 第32页 |
·不同温度下单晶硅片的脆塑转变机理 | 第32-37页 |
·实验装置与方法 | 第32-34页 |
·试样制备 | 第32页 |
·实验装置与方法 | 第32-34页 |
·结果分析与讨论 | 第34-37页 |
·压痕及压痕裂纹特征 | 第34-36页 |
·温度对单晶硅片硬度的影响 | 第36-37页 |
·连续刚度法研究单晶硅片的力学性能 | 第37-42页 |
·实验装置与方法 | 第38-40页 |
·试样制备 | 第38页 |
·实验装置与方法 | 第38-40页 |
·结果分析与讨论 | 第40-42页 |
·纳米划痕法研究单晶硅片的脆塑转变性能 | 第42-45页 |
·实验方法 | 第42-43页 |
·试样制备 | 第42页 |
·评价方法 | 第42-43页 |
·实验结果与分析 | 第43-45页 |
·断裂韧性 | 第43页 |
·纳米划擦性能 | 第43-45页 |
·临界切削深度模型 | 第45页 |
·小结 | 第45-47页 |
第三章 纳米α-Al_20_3、CeO_2颗粒的分散工艺研究 | 第47-61页 |
·引言 | 第47页 |
·纳米粒子的分散技术 | 第47-51页 |
·纳米粒子的基本性质 | 第47页 |
·纳米颗粒在液相中的分散原理 | 第47-49页 |
·纳米颗粒的分散方法 | 第49-50页 |
·纳米颗粒液相分散性的评价方法 | 第50-51页 |
·纳米α-Al_2O_3 在水相介质中的分散性能研究 | 第51-56页 |
·实验方法 | 第51-52页 |
·水相介质中纳米α-Al_2O_3 的Zeta 电位测量 | 第51页 |
·分散剂最佳浓度和最佳超声时间的确定 | 第51页 |
·纳米α-Al_2O_3 沉淀物的测量 | 第51-52页 |
·结果分析与讨论 | 第52-56页 |
·水相介质中纳米α-Al_2O_3 的Zeta 电位 | 第52-53页 |
·不同分散剂中超声分散时间对纳米α-Al_2O_3 分散性的影响 | 第53页 |
·分散剂浓度对纳米α-Al_2O_3 分散性的影响 | 第53-56页 |
·纳米CeO_2 在水相介质中的分散性能研究 | 第56-60页 |
·实验 | 第56-57页 |
·实验材料及仪器 | 第56页 |
·实验方法 | 第56-57页 |
·结果分析与讨论 | 第57-60页 |
·水相介质中纳米CeO_2 的Zeta 电位 | 第57-58页 |
·不同分散剂中超声分散时间对纳米CeO_2分散性的影响 | 第58页 |
·分散剂浓度对纳米CeO_2 分散性的影响 | 第58-60页 |
·小结 | 第60-61页 |
第四章 低温抛光设备及抛光工具的制备 | 第61-73页 |
·引言 | 第61页 |
·抛光设备 | 第61-62页 |
·冰冻固结磨料抛光垫的制备 | 第62-71页 |
·冻冰模具的设计 | 第62-64页 |
·水和冰的特性 | 第64-65页 |
·冰冻固结磨料抛光垫的制备工艺 | 第65-69页 |
·无沟槽型冰冻固结磨料抛光垫的制备工艺 | 第67-68页 |
·沟槽型冰冻固结磨料抛光垫的制备工艺 | 第68-69页 |
·冰冻固结磨料抛光垫的性能表征 | 第69-71页 |
·里氏硬度计的测试原理 | 第69-70页 |
·实验方法与装置 | 第70-71页 |
·结果与分析 | 第71页 |
·工件盘的制备 | 第71-72页 |
·工件盘的结构设计 | 第71-72页 |
·工件盘材料的选择 | 第72页 |
·小结 | 第72-73页 |
第五章 冰冻固结磨料抛光运动轨迹及温度场仿真 | 第73-89页 |
·引言 | 第73-74页 |
·冰冻固结磨料抛光运动轨迹仿真 | 第74-79页 |
·冰冻固结磨料抛光运动轨迹理论分析 | 第74-75页 |
·冰冻抛光垫单颗磨粒抛光运动轨迹 | 第75-77页 |
·偏心距e 不同时冰冻抛光垫上单颗磨粒抛光运动轨迹 | 第75-76页 |
·抛光垫转速不同时冰冻抛光垫上单颗磨粒抛光运动轨迹 | 第76-77页 |
·冰冻抛光垫多颗磨粒抛光运动轨迹 | 第77-78页 |
·冰冻抛光垫抛光运动轨迹对硅片表面质量的影响 | 第78-79页 |
·冰冻固结磨料抛光温度场仿真 | 第79-88页 |
·冰冻固结磨料抛光温度场有限元模拟 | 第79-82页 |
·冰冻固结磨料抛光温度场有限元模型的建立 | 第79-81页 |
·冰冻固结磨料抛光温度场计算流程 | 第81-82页 |
·温度测量系统 | 第82-83页 |
·冰冻固结磨料抛光温度场计算结果与分析 | 第83-88页 |
·冰冻固结磨料抛光温度场的计算值与实测值的比较 | 第83-84页 |
·不同环境温度下抛光时间对冰冻固结磨料抛光温度场的影响 | 第84-85页 |
·抛光压力对冰冻固结磨料抛光温度场的影响 | 第85-86页 |
·主轴转速对冰冻固结磨料抛光温度场的影响 | 第86-87页 |
·偏心距对冰冻固结磨料抛光温度场的影响 | 第87-88页 |
·小结 | 第88-89页 |
第六章 冰冻固结磨料化学机械抛光单晶硅片的工艺研究 | 第89-108页 |
·引言 | 第89页 |
·冰冻固结磨料化学机械抛光单晶硅片的工艺过程 | 第89-93页 |
·单晶硅片的粘结工艺 | 第89-91页 |
·单晶硅片的预加工 | 第91-92页 |
·冰冻抛光垫表面的预抛光 | 第92页 |
·抛光后硅片的表面处理 | 第92-93页 |
·单晶硅片的表面形貌表征方法 | 第93-94页 |
·检测仪器的选择 | 第93-94页 |
·ADE 非接触表面形貌仪 | 第93页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第93-94页 |
·采样区域 | 第94页 |
·材料去除率的测定 | 第94-95页 |
·冰冻固结磨料化学机械抛光单晶硅片的工艺研究 | 第95-106页 |
·抛光垫沟槽对抛光效果的影响 | 第95-97页 |
·抛光后硅片表面粗糙度的均匀性分析 | 第95-96页 |
·抛光垫沟槽对硅片抛光的去除率的影响 | 第96-97页 |
·不同冰冻抛光垫对已加工表面粗糙度和去除率的影响 | 第97-100页 |
·不同冰冻抛光垫对已加工表面粗糙度的影响 | 第97-99页 |
·不同冰冻抛光垫对去除率的影响 | 第99-100页 |
·单晶硅片低温抛光的工艺研究 | 第100-106页 |
·Taguchi 法 | 第100-105页 |
·综合平衡法 | 第105-106页 |
·小结 | 第106-108页 |
第七章 冰冻固结磨料化学机械抛光单晶硅片的机理分析 | 第108-124页 |
·引言 | 第108页 |
·Al_2O_3 球和玛瑙球对单晶硅片宏观摩擦磨损行为的影响 | 第108-114页 |
·实验装置与方法 | 第108-110页 |
·试样制备 | 第108-109页 |
·实验装置与方法 | 第109-110页 |
·结果分析与讨论 | 第110-114页 |
·单晶硅摩擦磨损性能 | 第110页 |
·单晶硅摩擦表面形貌分析 | 第110-114页 |
·冰冻摩擦偶件对单晶硅片摩擦行为的影响 | 第114-123页 |
·实验装置与方法 | 第114-116页 |
·试样制备 | 第114-115页 |
·实验装置与方法 | 第115-116页 |
·结果分析与讨论 | 第116-123页 |
·单晶硅片摩擦性能 | 第116页 |
·单晶硅片摩擦表面和断面表征 | 第116-119页 |
·单晶硅片与冰冻偶件的摩擦机理 | 第119页 |
·化学反应 | 第119-121页 |
·磨粒的机械作用 | 第121-123页 |
·小结 | 第123-124页 |
第八章 结论与展望 | 第124-127页 |
·全文总结 | 第124-126页 |
·本文完成的主要工作 | 第124-125页 |
·本文的创新点 | 第125-126页 |
·展望 | 第126-127页 |
参考文献 | 第127-138页 |
致谢 | 第138-139页 |
在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第139-141页 |