| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1.绪论 | 第7-25页 |
| 1.1 辐射环境和辐射效应 | 第7-14页 |
| 1.1.1 辐射环境 | 第7-9页 |
| 1.1.2 剂量率辐射效应 | 第9-14页 |
| 1.2 剂量率辐射效应研究现状 | 第14-23页 |
| 1.2.1 剂量率辐射效应产生光电流的理论研究 | 第14-16页 |
| 1.2.2 剂量率扰动、翻转和闩锁实验研究 | 第16-19页 |
| 1.2.3 特征尺寸变化对剂量率辐射效应的影响 | 第19-20页 |
| 1.2.4 寄生双极效应对剂量率辐射效应的影响 | 第20-21页 |
| 1.2.5 器件结构对剂量率辐射效应的影响 | 第21页 |
| 1.2.6 温度对剂量率辐射效应的影响 | 第21-22页 |
| 1.2.7 脉冲宽度对剂量率辐射效应的影响 | 第22-23页 |
| 1.3 存在的问题和本文的贡献 | 第23页 |
| 1.4 论文章节安排 | 第23-25页 |
| 2 剂量率辐射效应平台建设 | 第25-30页 |
| 2.1 剂量率仿真流程 | 第25-26页 |
| 2.2 仿真平台建模 | 第26-30页 |
| 3 PN结剂量率辐射效应研究 | 第30-38页 |
| 3.1 电极面积对瞬时光电流的影响 | 第31-34页 |
| 3.2 掺杂对瞬时光电流的影响 | 第34-35页 |
| 3.3 耗尽区面积对瞬时光电流的影响 | 第35-36页 |
| 3.4 电压对瞬时光电流的影响 | 第36-38页 |
| 4 剂量率辐射效应仿真研究 | 第38-64页 |
| 4.1 0.18um MOS器件的剂量率辐射效应仿真研究 | 第38-50页 |
| 4.1.1 0.18um NMOS器件的辐射响应 | 第38-40页 |
| 4.1.2 寄生双极效应对0.18um NMOS中光电流的影响 | 第40-43页 |
| 4.1.3 0.18um PMOS器件的辐射响应 | 第43-44页 |
| 4.1.4 寄生双极效应对0.18um PMOS中光电流的影响 | 第44-48页 |
| 4.1.5 阱接触与光电流的关系 | 第48-50页 |
| 4.2 65nm MOS器件的剂量率辐射效应仿真研究 | 第50-61页 |
| 4.2.1 65nm NMOS器件的辐射响应 | 第50-53页 |
| 4.2.2 65nm PMOS器件的辐射响应 | 第53-58页 |
| 4.2.3 特征尺寸对瞬时光电流的影响 | 第58-61页 |
| 4.3 不同工艺对反相器电源电压辐射响应的影响 | 第61-64页 |
| 5 复杂电路的瞬时辐射响应实验研究 | 第64-70页 |
| 5.1 剂量率辐射实验 | 第64-66页 |
| 5.2 不同剂量率下SRAM实验结果与分析 | 第66-67页 |
| 5.3 电源电压对剂量率辐射效应的影响 | 第67-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
