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体硅集成电路的瞬时剂量率辐射效应研究

摘要第2-3页
Abstract第3-4页
1.绪论第7-25页
    1.1 辐射环境和辐射效应第7-14页
        1.1.1 辐射环境第7-9页
        1.1.2 剂量率辐射效应第9-14页
    1.2 剂量率辐射效应研究现状第14-23页
        1.2.1 剂量率辐射效应产生光电流的理论研究第14-16页
        1.2.2 剂量率扰动、翻转和闩锁实验研究第16-19页
        1.2.3 特征尺寸变化对剂量率辐射效应的影响第19-20页
        1.2.4 寄生双极效应对剂量率辐射效应的影响第20-21页
        1.2.5 器件结构对剂量率辐射效应的影响第21页
        1.2.6 温度对剂量率辐射效应的影响第21-22页
        1.2.7 脉冲宽度对剂量率辐射效应的影响第22-23页
    1.3 存在的问题和本文的贡献第23页
    1.4 论文章节安排第23-25页
2 剂量率辐射效应平台建设第25-30页
    2.1 剂量率仿真流程第25-26页
    2.2 仿真平台建模第26-30页
3 PN结剂量率辐射效应研究第30-38页
    3.1 电极面积对瞬时光电流的影响第31-34页
    3.2 掺杂对瞬时光电流的影响第34-35页
    3.3 耗尽区面积对瞬时光电流的影响第35-36页
    3.4 电压对瞬时光电流的影响第36-38页
4 剂量率辐射效应仿真研究第38-64页
    4.1 0.18um MOS器件的剂量率辐射效应仿真研究第38-50页
        4.1.1 0.18um NMOS器件的辐射响应第38-40页
        4.1.2 寄生双极效应对0.18um NMOS中光电流的影响第40-43页
        4.1.3 0.18um PMOS器件的辐射响应第43-44页
        4.1.4 寄生双极效应对0.18um PMOS中光电流的影响第44-48页
        4.1.5 阱接触与光电流的关系第48-50页
    4.2 65nm MOS器件的剂量率辐射效应仿真研究第50-61页
        4.2.1 65nm NMOS器件的辐射响应第50-53页
        4.2.2 65nm PMOS器件的辐射响应第53-58页
        4.2.3 特征尺寸对瞬时光电流的影响第58-61页
    4.3 不同工艺对反相器电源电压辐射响应的影响第61-64页
5 复杂电路的瞬时辐射响应实验研究第64-70页
    5.1 剂量率辐射实验第64-66页
    5.2 不同剂量率下SRAM实验结果与分析第66-67页
    5.3 电源电压对剂量率辐射效应的影响第67-70页
结论第70-72页
参考文献第72-75页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第75-76页
致谢第76-78页

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