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纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第11-27页
    1.1 课题背景及意义第11-15页
    1.2 空间辐射环境第15-16页
    1.3 逻辑电路的辐射效应第16-19页
        1.3.1 单粒子效应和总剂量效应第16-18页
        1.3.2 逻辑电路的单粒子效应第18-19页
    1.4 国内外研究现状第19-25页
        1.4.1 纳米逻辑电路SEU软错误传播规律第19-20页
        1.4.2 版图结构对纳米逻辑电路SET影响第20-22页
        1.4.3 总剂量对纳米逻辑电路SEE影响第22-24页
        1.4.4 温度对纳米逻辑电路SEE影响第24-25页
    1.5 论文研究内容和目标第25-27页
第2章 纳米逻辑电路SEU软错误传播规律的研究第27-69页
    2.1 本章引论第27页
    2.2 逻辑电路SEU传播模型分析和仿真验证第27-34页
        2.2.1 现有的逻辑电路SEU传播模型分析第27-30页
        2.2.2 现有的逻辑电路SEU传播模型仿真验证第30-32页
        2.2.3 改进的逻辑电路SEU传播模型第32-34页
    2.3 改进的逻辑电路SEU传播模型的实验验证第34-47页
        2.3.1 电路设计及实验方法第34-41页
        2.3.2 实验结果及讨论第41-47页
    2.4 改进的逻辑电路SEU传播模型的应用第47-55页
        2.4.1 触发器SEU软错误的加固策略第47-49页
        2.4.2 逻辑电路SEE软错误动态截面评估第49-55页
    2.5 单粒子软错误传播规律的影响因素第55-67页
        2.5.1 电路设计第57-58页
        2.5.2 组合逻辑延迟时间的影响第58-60页
        2.5.3 入射粒子LET值的影响第60-61页
        2.5.4 触发器抗SEU性能的影响第61-63页
        2.5.5 逻辑电路单粒子软错误截面的预测第63-67页
    2.6 本章小结第67-69页
第3章 版图结构对纳米逻辑电路SET影响的研究第69-86页
    3.1 本章引论第69页
    3.2 电路设计及实验方法第69-74页
        3.2.1 电路设计第69-73页
        3.2.2 实验方法第73-74页
    3.3 实验结果及讨论第74-84页
        3.3.1 SET脉冲宽度测量精度和测量下限的标定第74-75页
        3.3.2 SET脉冲宽度展宽因子的标定第75-76页
        3.3.3 重离子垂直入射实验结果及分析第76-78页
        3.3.4 重离子斜入射实验结果及分析第78-80页
        3.3.5 激光微束单粒子效应实验结果及分析第80-81页
        3.3.6 对比分析和讨论第81-84页
    3.4 本章小结第84-86页
第4章 总剂量对纳米逻辑电路SEE影响的研究第86-99页
    4.1 本章引论第86页
    4.2 实验方法第86-87页
    4.3 总剂量致静态漏电流变化第87-90页
    4.4 总剂量对逻辑电路SEU的影响第90-95页
        4.4.1 实验结果第90-93页
        4.4.2 实验结果讨论第93-95页
    4.5 总剂量对逻辑电路SET的影响第95-97页
        4.5.1 实验结果第95-97页
        4.5.2 实验结果讨论第97页
    4.6 本章小结第97-99页
第5章 温度对纳米逻辑电路SEE影响的研究第99-109页
    5.1 本章引论第99页
    5.2 电路设计及实验方法第99-101页
        5.2.1 电路设计第99-100页
        5.2.2 实验方法第100-101页
    5.3 温度对逻辑电路SEU影响第101-106页
        5.3.1 实验结果第101-103页
        5.3.2 实验结果讨论第103-106页
    5.4 温度对逻辑电路SET的影响第106-108页
        5.4.1 实验结果第106-107页
        5.4.2 实验结果讨论第107-108页
    5.5 本章小结第108-109页
第6章 总结与展望第109-113页
    6.1 研究总结第109-110页
    6.2 论文创新点第110-111页
    6.3 需进一步开展的研究第111-113页
参考文献第113-121页
致谢第121-123页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第123-124页

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