| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-39页 |
| 1.1 三维集成与封装技术发展概况 | 第10-16页 |
| 1.2 应用于TSV 三维叠层封装的键合技术 | 第16-25页 |
| 1.2.1 直接氧化物（热）键合 | 第18-20页 |
| 1.2.2 黏着键合 | 第20-21页 |
| 1.2.3 阳极键合 | 第21-22页 |
| 1.2.4 玻璃介质键合 | 第22-23页 |
| 1.2.5 微凸点键合 | 第23-25页 |
| 1.3 微凸点制作方法及特点 | 第25-31页 |
| 1.3.1 丝网/模版印刷法 | 第27-28页 |
| 1.3.2 焊料喷射法 | 第28页 |
| 1.3.3 C4NP 法 | 第28-29页 |
| 1.3.4 电沉积法 | 第29-31页 |
| 1.5 本文的研究内容及目的 | 第31-32页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第31页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-39页 |
| 第二章 镀液成分及工艺研究 | 第39-58页 |
| 2.1 实验方法及原理 | 第39-46页 |
| 2.1.1 掩模板及带有光刻图案的芯片制作 | 第39-42页 |
| 2.1.2 镀液的主要组成及作用 | 第42-43页 |
| 2.1.3 电沉积实验装置、工艺及设备 | 第43-45页 |
| 2.1.4 表面张力与接触角测试 | 第45-46页 |
| 2.2 结果分析与讨论 | 第46-56页 |
| 2.2.1 镀液成分确定 | 第46-49页 |
| 2.2.2 工艺流程制定 | 第49-56页 |
| 2.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第三章 铜凸点电沉积制备工艺参数研究 | 第58-70页 |
| 3.1 实验方法及原理 | 第58-61页 |
| 3.1.1 赫尔槽实验 | 第58-59页 |
| 3.1.2 称重法测电流效率 | 第59-60页 |
| 3.1.3 表面粗糙度测试 | 第60页 |
| 3.1.4 铜镀层组织观察 | 第60-61页 |
| 3.2 结果分析与讨论 | 第61-69页 |
| 3.2.1 电流密度 | 第61-64页 |
| 3.2.2 沉积时间 | 第64-69页 |
| 3.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第四章 基于镍纳米针阵列的低温固态互连技术研究 | 第70-84页 |
| 4.1 键合结构的组成及键合理论 | 第70-72页 |
| 4.2 实验方法及原理 | 第72-77页 |
| 4.2.1 键合结构制备装置及设备 | 第72页 |
| 4.2.2 相关镀液组成及性能 | 第72-74页 |
| 4.2.3 键合结构制备工艺流程 | 第74-75页 |
| 4.2.4 互连技术可行性实验 | 第75-77页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第77-82页 |
| 4.3.1 键合结构表面AFM 形貌及粗糙度 | 第77-78页 |
| 4.3.2 键合结构整体及显微形貌 | 第78-79页 |
| 4.3.3 基于镍纳米针阵列的低温固态互连技术可行性 | 第79-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第五章 全文总结与研究展望 | 第84-87页 |
| 5.1 全文总结 | 第84-85页 |
| 5.2 研究展望 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第88-90页 |