| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 应用背景 | 第8-9页 |
| 1.2 下一代无线通信的关键技术 | 第9-13页 |
| 1.2.1 毫米波技术 | 第9-11页 |
| 1.2.2 MIMO技术 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的结构 | 第13-14页 |
| 第2章 波束形成相控阵基础 | 第14-20页 |
| 2.1 波束形成的原理 | 第14页 |
| 2.2 阵列系数和方向图 | 第14-16页 |
| 2.3 相控阵架构 | 第16-20页 |
| 第3章 多波束形成射频前端芯片架构 | 第20-30页 |
| 3.1 波束形成射频前端研究现状 | 第20-23页 |
| 3.2 多波束形成射频前端设计 | 第23-30页 |
| 3.2.1 多波束形成射频前端的指标要求 | 第23页 |
| 3.2.2 多波束形成射频前端架构设计 | 第23-26页 |
| 3.2.3 多波束形成射频前端的行为级仿真 | 第26-28页 |
| 3.2.4 多波束形成射频前端系统链路预算分析 | 第28-30页 |
| 第4章 宽带低噪声放大器设设计 | 第30-56页 |
| 4.1 低噪声放大器设计基础 | 第30-32页 |
| 4.2 放大器的低噪声设计 | 第32-40页 |
| 4.2.1 噪声基础 | 第32-34页 |
| 4.2.2 晶体管噪声模型 | 第34-36页 |
| 4.2.3 噪声在电路中的表示 | 第36-40页 |
| 4.3 低噪声放大器结构 | 第40-51页 |
| 4.3.1 带电感负载的共源级 | 第40-42页 |
| 4.3.2 带反馈电阻的共源级放大器 | 第42-44页 |
| 4.3.3 共栅级 | 第44-48页 |
| 4.3.4 源简并电感的共源级 | 第48-51页 |
| 4.4 多波束形成射频前端的低噪声放大器设计 | 第51-56页 |
| 第5章 宽带真延时单元设计 | 第56-68页 |
| 5.1 滤波器设计基础 | 第56-63页 |
| 5.1.1 近似实现理想低通滤波器幅值响应的传输函数 | 第57-61页 |
| 5.1.2 近似实现理想低通滤波器相位响应的传输函数 | 第61-63页 |
| 5.2 多波束形成射频前端的宽带真延时单元设计 | 第63-68页 |
| 第6章 实验结果 | 第68-74页 |
| 6.1 宽带多波束形成射频前端芯片的系统设计与测试 | 第68-69页 |
| 6.2 宽带多波束形成射频前端芯片的后仿真结果 | 第69-74页 |
| 第7章 总结展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
