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基于标准CMOS工艺的太赫兹亚谐波混频器的设计与研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 绪论第10-17页
    1.1 太赫兹技术简介第10-11页
    1.2 太赫兹技术特点与应用第11页
    1.3 太赫兹亚谐波混频器的国内外研究现状第11-14页
        1.3.1 基于肖特基二极管和标准BiCMOS工艺的太赫兹亚谐波混频器第12-13页
        1.3.2 基于标准CMOS工艺的太赫兹亚谐波混频器第13-14页
    1.4 论文结构安排第14-17页
第2章 混频器理论基础第17-34页
    2.1 混频器基本原理第17-18页
    2.2 混频器分类第18-21页
        2.2.1 单个MOS管开关混频器第18-19页
        2.2.2 单平衡无源混频器第19-20页
        2.2.3 双平衡无源混频器第20-21页
    2.3 混频器的性能参数第21-26页
        2.3.1 转换增益第21-22页
        2.3.2 线性度第22-24页
        2.3.3 隔离度第24-25页
        2.3.4 噪声系数第25-26页
    2.4 特征频率与最大振荡频率第26-28页
    2.5 偏置网络与匹配网络第28-32页
        2.5.1 偏置网络第28-29页
        2.5.2 匹配网络第29-32页
    2.6 本章小结第32-34页
第3章 亚谐波混频器设计第34-48页
    3.1 亚谐波混频器原理第34-36页
        3.1.1 太赫兹亚谐波混频器的种类第34-36页
    3.2 亚谐波混频器的设计第36-44页
        3.2.1 电路结构的选取第37-39页
        3.2.2 偏置网络的设计(bias-tee)第39页
        3.2.3 匹配网络的设计第39-44页
    3.3 太赫兹亚谐波混频器的仿真结果第44-46页
        3.3.1 中频输出随本振功率的变化第44页
        3.3.2 变频损耗分析第44-45页
        3.3.3 噪声系数分析第45页
        3.3.4 线性度分析第45-46页
    3.4 本章小结第46-48页
第4章 亚谐波混频器中无源器件的介绍与设计第48-66页
    4.1 HFSS软件介绍第48-49页
    4.2 65nm CMOS工艺介绍第49-54页
        4.2.1 CMOS工艺结构及工艺参数第49-51页
        4.2.2 65 nm CMOS工艺器件介绍第51-54页
    4.3 亚谐波混频器中无源器件的设计第54-64页
        4.3.1 太赫兹亚谐波混频器中传输线设计第54页
        4.3.2 传输线理论第54-55页
        4.3.3 片上传输线的结构第55-60页
        4.3.4 片上传输线的非理想因素及优化第60页
        4.3.5 太赫兹亚谐波混频器中传输线的设计与仿真结果第60-64页
    4.4 本章小结第64-66页
第5章 太赫兹亚谐波混频器版图设计与后仿真第66-83页
    5.1 亚谐波混频器的版图设计第66-73页
        5.1.1 版图设计规则第66-68页
        5.1.2 太赫兹亚谐波混频器的版图设计第68-73页
    5.2 亚谐波太赫兹混频器中传输线的仿真与性能分析第73-77页
        5.2.1 传输线的版图绘制第73-74页
        5.2.2 传输线的仿真第74-77页
    5.3 亚谐波混频器的仿真与性能分析第77-82页
        5.3.1 中频输出频谱第77-78页
        5.3.2 变频损耗第78-79页
        5.3.3 噪声系数第79页
        5.3.4 线性度第79-80页
        5.3.5 隔离度第80-81页
        5.3.6 亚谐波混频器与压控振荡器(VCO)联合仿真第81-82页
    5.4 本章小结第82-83页
第6章 总结与展望第83-84页
参考文献第84-88页
发表论文和参加科研情况说明第88-89页
致谢第89-90页

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