面向片上光互连的高速光集成芯片研究
致谢 | 第5-7页 |
摘要 | 第7-9页 |
ABSTRACT | 第9-10页 |
1 绪论 | 第13-25页 |
1.1 光集成技术发展与现状 | 第13-18页 |
1.2 片上光互连 | 第18-22页 |
1.3 本论文的主要内容及创新点 | 第22-25页 |
1.3.1 本论文的章节安排 | 第22-23页 |
1.3.2 本论文的主要创新点 | 第23-25页 |
2 光波导基本理论与数值计算方法 | 第25-43页 |
2.1 光波导电磁理论概述 | 第25-27页 |
2.2 平板波导 | 第27-30页 |
2.3 条形波导 | 第30-35页 |
2.3.1 等效折射率方法 | 第31-33页 |
2.3.2 Macatili方法 | 第33-35页 |
2.4 光波导的数值计算 | 第35-41页 |
2.4.1 光束传播方法(BPM) | 第35-37页 |
2.4.2 时域有限差分法(FDTD) | 第37-41页 |
2.5 边界条件 | 第41-42页 |
2.6 本章小结 | 第42-43页 |
3 硅基阵列波导光栅 | 第43-71页 |
3.1 阵列波导光栅基本原理 | 第43-46页 |
3.2 AWG研究进展 | 第46-51页 |
3.3 设计方法与特性分析 | 第51-54页 |
3.4 制作工艺流程 | 第54-56页 |
3.5 测试平台 | 第56-62页 |
3.6 阵列波导光栅的研制 | 第62-69页 |
3.6.1 微弯型 | 第62-64页 |
3.6.2 光子晶体反射型 | 第64-67页 |
3.6.3 布拉格光栅型 | 第67-69页 |
3.7 本章小结 | 第69-71页 |
4 混合集成电吸收调制器 | 第71-101页 |
4.1 光调制器概述 | 第71-78页 |
4.1.1 Ⅲ-Ⅴ制器 | 第72-73页 |
4.1.2 纯硅调制器 | 第73-75页 |
4.1.3 锗调制器 | 第75-76页 |
4.1.4 新材料集成光调制 | 第76-77页 |
4.1.5 Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成调制器 | 第77-78页 |
4.2 电吸收调制器设计 | 第78-84页 |
4.3 混合集成制作工艺 | 第84-93页 |
4.4 性能测试 | 第93-98页 |
4.4.1 小信号测试 | 第93-97页 |
4.4.2 高速测试 | 第97-98页 |
4.5 本章小结 | 第98-101页 |
5 片上光互连芯片研究 | 第101-111页 |
5.1 混合集成调制器阵列 | 第101-105页 |
5.2 混合集成探测器阵列 | 第105-106页 |
5.3 片上光互连系统 | 第106-109页 |
5.4 本章小结 | 第109-111页 |
6 总结与展望 | 第111-113页 |
参考文献 | 第113-123页 |
作者简介 | 第123页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第123-125页 |