| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第7-10页 |
| 1.2 等离子体刻蚀的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3 本文研究内容及结构安排 | 第12-14页 |
| 2 模型介绍 | 第14-23页 |
| 2.1 反应腔室模型 | 第14-17页 |
| 2.2 混合鞘层模型 | 第17-20页 |
| 2.3 刻蚀槽模型 | 第20-23页 |
| 3 脉冲等离子体源参数对腔室离子密度及极板处IEDs和IADs的 影响 | 第23-37页 |
| 3.1 脉冲等离子体源参数对腔室离子密度分布的影响 | 第24-28页 |
| 3.2 脉冲等离子体源参数对极板处离子能量和角度分布的影响 | 第28-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 ICP腔室离子密度分布及极板处的IEDs和IADs | 第37-50页 |
| 4.1 ICP腔室离子密度分布情况 | 第37-39页 |
| 4.2 外部参数条件对极板处离子能量分布和角度分布的影响 | 第39-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 5 不同外部参数条件下的刻蚀槽形貌演化 | 第50-56页 |
| 5.1 放电参数对刻蚀槽形貌剖面演化的影响 | 第50-55页 |
| 5.2 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
