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大高宽比微纳结构制备关键技术研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第7-13页
    1.1 大高宽比微纳结构的应用第7页
    1.2 大高宽比微纳结构制备技术的发展与现状第7-12页
    1.3 论文的研究目的和内容第12-13页
第二章 电子束光刻技术第13-19页
    2.1 电子束光刻技术基本工作原理及系统组成第13-14页
    2.2 电子束光刻工艺概述第14-16页
    2.3 电子抗蚀剂第16-17页
    2.4 电子抗蚀剂关键性能第17-18页
    2.5 本章小结第18-19页
第三章 电子束曝光邻近效应校正第19-31页
    3.1 电子束邻近效应机理第19-22页
    3.2 电子束邻近效应校正技术第22-23页
    3.3 电子束邻近效应校正数据处理技术第23-28页
    3.4 电子束邻近效应上考虑的曝光版图可制造性设计问题第28-30页
    3.5 本章小结第30-31页
第四章 抗蚀剂图形结构的粘连与倒塌问题研究第31-38页
    4.1 抗蚀剂图形结构的粘连与倒塌第31-32页
    4.2 抗蚀剂图形结构粘连与倒塌成因分析第32-35页
    4.3 抗蚀剂图形结构粘连与倒塌的解决方法第35-36页
    4.4 超临界流体干燥技术第36-37页
    4.5 本章小结第37-38页
第五章 大高宽比微纳结构的制备第38-54页
    5.1 电子束曝光剂量优化第38-41页
    5.2 钠离子在显影中的作用第41-43页
    5.3 超临界CO_2干燥第43-45页
    5.4 反向直流脉冲电镀第45-53页
    5.5 本章小结第53-54页
结论第54-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-57页

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