| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 DRAM器件的基本介绍 | 第13-16页 |
| 1.3 本文研究的主要目标和内容 | 第16-18页 |
| 第二章 栅极制造工艺和刻蚀设备 | 第18-37页 |
| 2.1 栅极制造工艺流程 | 第18-23页 |
| 2.1.1 生长栅极氧化层 | 第18页 |
| 2.1.2 淀积多晶硅栅电极 | 第18-19页 |
| 2.1.3 钨金属及其氮化物淀积 | 第19页 |
| 2.1.4 氮化物硬掩膜和介电质抗反射膜淀积 | 第19-20页 |
| 2.1.5 HM ETCH | 第20-21页 |
| 2.1.6 W ETCH | 第21-22页 |
| 2.1.7 POLY ETCH | 第22-23页 |
| 2.2 栅极刻蚀工艺详述 | 第23-26页 |
| 2.2.1 刻蚀简介 | 第23-24页 |
| 2.2.2 栅极刻蚀制程 | 第24-26页 |
| 2.3 刻蚀设备 | 第26-36页 |
| 2.3.1 反应腔 | 第28页 |
| 2.3.2 射频系统 | 第28-30页 |
| 2.3.3 静电吸盘和硅片温度控制系统 | 第30-32页 |
| 2.3.4 真空及压力控制系统 | 第32-34页 |
| 2.3.5 气体流量控制系统 | 第34-35页 |
| 2.3.6 刻蚀终点检测系统 | 第35页 |
| 2.3.7 传送系统 | 第35-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 栅极微粒子污染问题现状及原因分析 | 第37-45页 |
| 3.1 栅极刻蚀过程中的微粒子污染问题 | 第37-39页 |
| 3.1.1 产品历史数据分析 | 第37-38页 |
| 3.1.2 栅极刻蚀工序各步骤Particle状况分析 | 第38页 |
| 3.1.3 缺陷（Defect）形状及成分分析 | 第38-39页 |
| 3.2 Poly Etch刻蚀步骤工艺分析 | 第39-44页 |
| 3.2.1 刻蚀气体探究 | 第39-40页 |
| 3.2.2 刻蚀制程介绍 | 第40-41页 |
| 3.2.3 Mechanic Particle分析探讨 | 第41-43页 |
| 3.2.4 设备结构分析 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 改善方案及结果 | 第45-51页 |
| 4.1 等离子远程清洗和干刻清洗 | 第45-46页 |
| 4.2 调整设备结构 | 第46-47页 |
| 4.3 设备结构调整后的工艺氛围变化 | 第47-49页 |
| 4.4 实验改进 | 第49-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结束语 | 第51-52页 |
| 5.1 主要工作与创新点 | 第51页 |
| 5.2 后续研究工作 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第55页 |